发布时间 : 星期五 文章电工学与电子技术B复习题及参考答案 -更新完毕开始阅读01d5e125670e52ea551810a6f524ccbff121ca81
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一、 选择题
6、欲使放大器净输入信号削弱，应采取的反馈类型是（D） A．串联反馈；B并联反馈；C．正反馈；Ｄ．负反馈。 7、由一个三极管组成的基本门电路是（B） A．与门；B．非门；C．或门；Ｄ．异或门。 8、在脉冲门电路中，应选择（B）的三极管。
A．放大能力强；B．开关速度快；C．价格便宜；Ｄ．集电极最大耗散功率高。 9、数字集成门电路中，目前生产最多且应用最普遍的门电路是（D） A．与门；B．非门；C．或门；Ｄ．与非门。 24、对半导体而言，其正确的说法是（C）
A．P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电；B．N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电；C．P型半导体和N型半导体本身都不带电； D．在Ｎ型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
25、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为9V、4V、3.7V，则这3 个极分别为（A） A． C、B、E； B．C、E、B； C．E、C、B。
26、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为-6V、-2.3V、-2V，则这-2.3 V的那个极为（B）
A．集电极；B．基极；C．发射极。
27、在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V，则该管为（C） A．NPN型硅管；B． PNP型锗管； C．NPN型锗管；D． PNP型硅管。
28、对某电路中的一个NPN型硅管测试，测得UBE>0,UBC>0,UCE>0, 则此管工作在（B） A．放大区；B．饱和区；C．截止区。
29、对某电路中的一个NPN型硅管测试，测得UBE<0,UBC<0,UCE>0, 则此管工作在（C） A．放大区；B．饱和区；C．截止区。
30、对某电路中的一个NPN型硅管测试，测得UBE>0,UBC<0,UCE>0, 则此管工作在（A） A．放大区；B．饱和区；C．截止区。 31、晶体三极管的控制方式为（B）
A．输入电流控制输出电压；B．输入电流控制输出电流；C．输入电压控制输出电压。 32、场效晶体管的控制方式为（C）
A．输入电流控制输出电压；B．输入电压控制输出电压；C．输入电压控制输出电流。 33、射极输出器（A）
A．有电流放大作用，没有电压放大作用；B．有电流放大作用，也有电压放大作用； C．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。
34、某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（B）
A．并联电流负反馈；B．串联电流负反馈；C．串联电压负反馈；D．并联电压负反馈。
35、与A?B?C?D相等的为（C）
A．A?B?C?D；B．(A?B)?(C?D)；C．A?B?C?D。 36、与A?ABC相等的为（B） A．A+B；B．A+BC；C．A?BC。 37、若Y?AB?AC?1，则（C）
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A．ABC=001；B．ABC=110；C．ABC=100。
38、已知函数F?AB?BC，则它的“与非—与非”表达式为（ B ）。 A.AB?BC B. ABBC C.AB BC
39、组合逻辑电路的分析是指（C）。
A．已知逻辑图，求解逻辑表达式的过程；B．已知真值表，求解逻辑功能的过程；C．已知逻辑图，求解逻辑功能的过程。
46、如图4所示的晶体管，测得三电极的电位分别是U1?6V，U2?3V，U3?2.3V，则该晶体管的的的类型及各电极的名称为：（ A ）
A．NPN型，①是集电极、②是基极、③发射极 B．PNP型，①是发射极、②是基极、③集电极 C．NPN型，①是集电极、②发射极、③基极
① ② ③ D．PNP型，①是集电极、②发射极、③基极
47、PNP型晶体三极管处于放大状态时，各极电位关系必须满足：（ B ） （图 4） A．UC>UB>UE； B．UC
A．大于1； B．小于并接近1 ； C．等于1 ； D．远大于1． 51、下列哪一个不是逻辑函数的表示方法（ C ）。
A．真值表； B．逻辑图； C．波形图； D．逻辑表达式. 53、P型半导体中的多数载流子是（ B ） A．自由电子； B．空穴； C．正离子。
三、填空题
6．最常用的半导体材料有 硅 和 锗 两种。
7．晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为 0.6～0.7 V，锗管约为 0.2～0.3 V。通常硅二极管的死区电压约为 0.5 V，锗二极管的死区电压约为 0.1 V。
8．逻辑代数的三种最基本的运算关系有 与 、 或 、 非 ；写出异或逻辑函数表达式Y=AB?AB(其输入变量为A、B)，其逻辑符号为：
A =1 B
9.晶体二极管是由一个 PN结 作为管芯，其最主要的电特性是 单向导电性 ：加正向电压时PN结处于 导通 状态，加反向电压PN结处于 截止 状态。
10.晶体三极管有两个PN结，即 发射 结和 集电 结；要具有电流放大作用必须具备的外部条件是： 发射结正偏 和 集电结反偏 。
11.晶体三极管有三种工作状态： 放大 状态、 饱和 状态和 截止 状态。
12.某放大电路中正常工作的三极管各极对地电位分别是：U1=2V,U2=2.7V,U3=10V,则该管1脚是 E 极，2脚是
B 极，3脚是 C 极，该管采用 硅 材料，类型是 NPN 型。
13、在本征半导体掺入微量的3价元素，可形成 P 型杂质半导体。其中的多子是 空穴 。
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14、射极输出器的特点是输入电阻 高（大） ，输出电阻 低（小） 。
19．根据晶体管的结构特点， 基 区的掺杂浓度最低。 发射 区的掺杂浓度最高。 20．就单管共发射极放大电路而言，当静态工作点过低（基极电流I B过小）时，输出波形易发生 截止 失真。
21．就单管共发射极放大电路而言，当静态工作点过高（基极电流I B过大）时，输出波形易发生 饱和 失真。
22．整流电路是直流稳压电源的重要组成部分，整流电路的作用是 将正弦交流信号转变为脉动直流信号 ，该电路由 二极管 元件组成。
23．逻辑函数的表示方法有三种： 逻辑状态表（真值表） 、 逻辑函数表达式 和逻辑图。
26．电子电路包括 模拟电路 和 数字电路 两大部分。
27．低频功放电路一般有三种工作状态： 甲 类、 乙 类和 甲乙 类。 28．理想运放工作在线性区时的两个重要结论是：（1）u+ =u—，这种情况称为 “ 虚短 ”；（2）i+ =i—=0，这种情况称为“ 虚断 ”。
五、简答题
7、二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
答：当外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定数值后，电流增大很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.5V。
8、为什么稳压二极管的动态电阻愈小，稳压效果愈好？
答：由稳压二极管的伏安特性可见，动态电阻rZ??UZ愈小，即?UZ愈小，随电流IZ变化产生?IZ的电压波动愈小，所以稳压效果愈好。
9、晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用，为什么？
答：不可以。晶体管的发射区掺杂浓度高而面积小，而集电区掺杂浓度低而面积大。若调换使用，则扩散到基区的载流子的数量将严重不足，致使集电极电流和电流放大系数大为减小。
10、有两个晶体管，一个管子??50,ICBO?0.5?A；另一个管子??150,ICBO?2?A。如果其它参数一样，选用哪个管子较好？为什么？
答：两管的穿透电流分别为
ICEO1?(1??)ICBO?(1?50)?0.5?A?25.5?AICEO2?(1??)ICBO?(1?150)?2?A?302?A
可见，选用第一个管子较好，因为其穿透电流小，温度稳定性好。 11、发现输出波形失真，是否说明静态工作点一定不合适？
答：不一定，若工作点合适而信号幅度过大，也会产生波形失真。
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12、在放大电路中，静态工作点不稳定对放大电路的工作有何影响？
答：静态工作点不稳定将引起波形失真，如工作点升高则产生饱和失真，工作点下移则产生截止失真。
13、什么叫“虚地”？在反相比例运算放大器电路中，同相输入端接“地”，反相输入端的电位接近“地”电位。既然这样，就把两个输入端直接连起来，是否会影响运算放大器的工作？
答：由于运算放大器的开环放大倍数很大，而输出电压为有限值，因此实际允许输入电压很小，可以忽略不计，但并非为零。当同相输入端接“地”时，u??0，则u??0，反相输入端的电位接近“地”电位，故称“虚地”。若将两个输入端直接连接，则u??u?,ui?0，无输出，运算放大器便不能工作。 14、逻辑运算中的1和0是否表示两个数字？
答：逻辑运算中的1和0只是表示两个相反的逻辑状态，如高和低、开和关、通和断、是和非等，不是算术运算中的两个数字。
15、逻辑代数和普通代数有什么区别？ 答：逻辑代数或称布尔代数是分析与设计逻辑电路的数学工具。它虽然和普通代数一样也用字母（A、B、C等）表示变量，但变量的取值只有1和0两种，所谓逻辑1和逻辑0，它们不是数字符号，而是代表两种相反的逻辑状态。逻辑代数所表示的是逻辑关系，不是数量关系，这是它与普通代数本质上的区别。在逻辑代数中只有逻辑乘（与运算）、逻辑加（或运算）和求反（非运算）三种基本运算。而在普通代数中有加、减、乘、除等多种运算。
六、作图题 1、图示电路：已知ui=10sin?tV，E= 5 V，二极管D为理想二极管（正向导通时电压为零），试绘制 uo 的波形。
2、已知下图中E=5V，ui=10sin?tV，二极管为理想二极管（正向导通时电压为零），画出输出电压uo的波形。
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