发布时间 : 星期五 文章半导体问题 - 图文更新完毕开始阅读07484325f01dc281e43af003
31、为什么在非均匀掺杂的半导体中必然存在电场？若某n型半导体由于非均匀掺杂使体内存在自建电场E(x)=-dV(x)/dx。已知电子浓度分布为
试用平衡条件证明爱因斯坦关系式。
32、某非均匀掺杂半导体，其导带电子浓度在x方向上线形变化，即n(x)=ni(1+Gx) （1）设费米能级随x变化而变化，求电场E(x)； （2）如何保持样品处于热平衡状态？
（3）设NA＝ax，a为常数，ND=Nexp(-ax)，求其两种条件下的体内电场E(x)，并画出两种条件下的能带图。
33、求证：禁带宽度为Eg的半导体，其某非均匀掺杂半导体，其导带电子浓度在x方向上线形变化，即n(x)=ni(1+Gx)
（1）设费米能级随x变化而变化，求电场E(x)； （2）如何保持样品处于热平衡状态？
（3）设NA＝ax，a为常数，ND=Nexp(-ax)，求其两种条件下的体内电场E(x)，并画出两种条件下的能带图。 34、室温下，n-CdS薄膜的掺杂浓度为ND=1017cm-3，少子寿命为0.1微秒，ni=1.0×107cm-3，如少数载流子在一定条件下全部被清除，问电子-空穴对的产生率是多大？
第六章
1、平衡p-n结有什么特点，画出势垒区中载流子漂移运动和扩散运动的方向。
2、定性画出正向偏置时p-n结的能带图。并在图上标出准费米能级的位置，与热平衡时的p-n结能带图进行比较。
3、平衡p-n结既然存在电势差，为什么p-n结又不能作为固体电池呢？
4、p-n结结处的空间电荷区宽度的数量级是多少？该空间电荷区由什么组成？
5、下图为构成p-n结的半导体材料的能带图，请画出热平衡时该p-n结的能带图，标明势垒高度和势垒宽度。
6、写出p-n结整流方程每一项的物理意义？对于较大的正向偏置电压和反向偏置电压，该方程分别说明什么样的物理过程。
7、p-n结反向电流由那几部分构成，一般情况下什么是主要的？为什么反向电流和温度关系很大
8、解释硅p-n结反向电流随反向电压增加而增大的原因。
9、测试p-n结反向电流时，有光照和无光照是不一样的，试问那一种情况测出的数值大？为什么？
10、在隧道二极管中，n区常重掺杂使EFn位于导带中， p区重掺杂使EFp位于价带中，画出这种二极管在零偏和反偏时的能带图，并解释隧道二极管的伏安特性曲线。
11、考虑一个两侧掺杂浓度相等（NA=ND）的突变p-n结，画出其电荷、电场强度、电势在反偏条件下与到p-n结距离x的函数关系。
12、分别画出正、反向偏置时p-n结n侧少数载流子浓度与到p-n结距离之间的函数关系曲线，指出过剩载流子浓度何处为正，何处为负？
13、说明p-n势垒电容和扩散电容的物理意义，分别讨论它们与电流或电压的关系。反偏p-n结有无扩散电容？为什么？
14、区别雪甭击穿和隧道击穿（齐纳击穿）的不同。为什么低击穿电压(VB<4.5V)的p-n结击穿电压的温度系数是负的，而高击穿电压时却是正的？
15、为什么p-n结的接触电位差不能通过完用表跨接在二极管两端的方法进行测量？
16、当p-n结n型区的电导率远远大于p型区的电导率时，p-n结电流主要是空穴流还是电子流？ 17、说明处于开路条件下的突变p-n结其接触电位差与那些物理量有关？为什么一个开路的p-n结必然形成接触电位差？ 18、（1）说明p-n结理想模型（即扩散模型）的基本假设。
（2）在推导p-n结电流－电压关系时，这些基本假设体现在那些地方？ （3）对于非理想情况应做如何修正（着重从物理角度予以说明）？ 19、选择正确答案填入横线上：
（1）在相同偏压下，单边突变p+-n结单位面积电容量主要由 决定（n区掺杂浓度，p+区掺杂浓度，p-n结面积）
（2）在相同正向电流IF情况下，锗p-n结的正向微分电阻r0比硅p-n结的r0 ，偏压下，在相同正向电压VF情况下，锗p-n结的正向微分电阻r0比硅p-n结的r0 （大，小，相同）。 （3）p-n结雪崩击穿电压随温度升高而 ，p-n结的隧道击穿电压随温度升高而（提高，降低，保持不变）
（4）如果略去接触电阻和体电阻，p+-n结在大注入情况下外加正向电压 ， 19、选择正确答案填入横线上： （4）如果略去接触电阻和体电阻，p+-n结在大注入情况下外加正向电压 ， p+-n结在小注入情况下，外加电压 （只降落在势垒区，只降落在扩散区，势垒区和扩散区各降落一部分）。
（5）若保持p-n结上正向电压VF不变，且n区掺杂浓度和少子寿命不变，而p区掺杂浓度增加，则在n区的非平衡少子贮存电荷量 ，在p区的非平衡少子贮存电荷量 ， （增加，减少，不变）。
20、p-n结接触电势差VD有无可能超过禁带宽度Eg？为什么？
21、画出整个p-n结在均匀光照下的能带图，图上表明准费米能级EFn、EFp的变化（考虑p-n结开路、短路两种情况）。
22、比较不同电阻率的锗p-n结的反向电流密度的大小。比较电阻率近似相等的锗、硅p-n
结的反向电流密度的大小。
23、说明p+-n结在正向偏置条件下，p区空穴电流如何转换成n区电子电流。