发布时间 : 星期四 文章微机原理课后习题答案更新完毕开始阅读093b1599340cba1aa8114431b90d6c85ec3a88c6
解答：0000H~03FFFH的地址范围为214=16K， ，而6264芯片的容量为8*8K， 所以需要连接2片，其中，第一片的地址为00000H~01FFFH，第二片的地址为02000H~03FFFH，这里用74LS138的Y0、Y1 作为两个芯片的片选。
4.4
叙述EPROM的编程过程，说明EEPROM的编程过程。
EPROM编程通常采用两种模式：标准编程和快速编程：
标准编程是在VCC、VPP、CE、OE、地址信号、数据信号有效并稳定后加入50毫秒的PGM编程负脉冲，可以在写入一个数据后使OE变高而立即校验，也可以在所有数据写入后逐一校验。
标准编程有两大缺陷：一是时间过长，比如2764全片编程约需7分钟，时间过长；再是编程脉冲宽度稍大容易造成芯片因功耗过大而烧毁。
快速编程将PGM的宽度减小到100微妙左右，显然速度加快了500倍左右。 能否使用快速编程取决于芯片的型号。
EEPROM 由于可以在线擦除信息，所以可以单字节编程或自动按页编程。 在单字节写入时，CE为低，OE为高，在WE加入100纳秒的负脉冲，写入时间包括擦除原有内容和写入新内容的时间，一般为10毫秒以内，可以通过查询READY/BUSY的状态判定。
自动按页编程用高位线决定页地址，低位线决定页容量，然后一次写入一页内容，写完后查询READY/BUSY状态，此一过程耗时在300微秒左右，所以速度较快。
4.5已有两片6116，现欲将其接到8088系统中去，其地址范围为40000H~40FFFH,试画出电路连接图；写入某数据并读出与之比较，若有错，则在DL中写入01H，若全对，在DL中写入EEH，试编写此检测程序。 解答：电路连接如图示：
检测程序定义为一个过程，编程如下： CHKRAM
PROC FAR
SI； DL； CX； AX；
CX，10000H；
待检验的单元个数
PUSH PUSH PUSH PUSH
MOV MOV MOV MOV MOV MOV MOV
SI，4000H； 存储体段地址 DS，SI； SI，0000H； AL，0FFH； [SI]，AL； AL，[SI]；
存储体首地址
写入检验数据FFH 读出
CHK：
ADD JNZ
AL，01H RAMERR
写入另一格检验数据 读出
MOV AL，0； MOV MOV AND JNZ
[SI]，AL； AL，[SI]； AL，AL RAMERR
MOV DL，0EEH； JMP MOV
RAMCHKOUT DL， 01H；
所有单元全对
RAMERR： 发现错误单元
RAMCHKOUT： POP
POP
AX； CX；
POP DL； POP SI；
RET ENDP CHKRAM
4.6 利用全地址译码将EPROM27128接到首地址为A0000H的内存区，试画出电路图。 解答：EPROM27128 的容量为8* 16K，所以有14根地址线， 那么如果将其接到首地址为A0000H 内存区，高6位地址线的排列应该为：1010 00B，所以有如下的连接：
4.7 内存地址从40000H到BBFFFH共有多少K？
解答：从40000H到BBFFFH的地址空间应该为 BBFFFH-40000H= 7BFFFH 每K为210，即3FFH，7BFFFH/3FFH=1F0H=496D
所以，该地址空间的范围应该为496KByte。
4.8 试判断8088系统中存储器译码器74LS138的输出Y0、Y4、Y6和Y7所决定的内
存地址范围，电路连接见附图。 解答：
根据示意图，A19、A18、A17、A16 的电平值为 1X00B,由于采用的是部分译码（A18未使用），所以每个地址译码输出对应的两个地址范围。
Y0对应 A15、A14、A13 均为0，所以其地址范围应该为： 当A18=0时,地址范围为：
1000 0000 0000 0000 ~ 1000 0001 1111 1111 1111 B 即80000H~ 81FFFH 当 A18=1时,地址范围为：
1100 0000 0000 0000 ~ 1100 0001 1111 1111 1111B 即C0000H~ C1FFFFH
Y4 对应的 A15、A14、A13 为 100，所以其地址范围应该为：
当A18=0 时，地址范围为：
1000 1000 0000 0000 0000B~ 1000 1001 1111 1111 1111B 即88000H~ 89FFFH 当A18=1时，地址范围为：
1100 1000 0000 0000 0000 ~1100 1001 1111 1111 1111B 即C8000H~C9FFFH