模拟电子技术第4章习题答案 联系客服

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+V CC (+12V)

R b 180k C 1

T

v i

R e 2k

R i

C 2

vRo

RL

o

2k

图判断题 10

即自偏压和分压式偏置电路。

11.结型场效应管通常采用两种偏置方式,

小。

( √ )

( × )

12. 在共源放大电路中,当负载电阻减小时,电压放大倍数绝对值下降,输出电阻也减 13. MOS 场效应管的栅极输入电流几乎等于零,所以

电阻总可以视为无穷大

MOS 管组成的放大电路的输入

( × )

14. 场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大(

增大而减小。( × )

√ ),输入电阻则随漏极静态电流

15. 场效应管的栅极电流几乎等于零,所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大

( √),输出电阻也很大。 ( × )

16.共漏放大电路电压放大倍数总是小于1( √ ),所以不能实现功率放大。 ( × 17. 场效应管的跨导 gm=IDQ /VGSQ( × )还是 gm = 18.增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路。 19.耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自偏压电路。 20.如果输入级是共射放大组态, 21.如果输入级是共集放大组态,

ID / VGS。( √ )

( × ) ( × ) ( √ ) ( √ ) ( √ ) ( √ ) ( √ ) ( × )

则输入电阻只与输入级有关。 则输入电阻还与后级有关。

22.如果输出级是共射放大组态, 则输出电阻只与输出级有关。 23.如果输出级是共集放大组态, 则输出电阻还与前级有关。 24.放大直流信号, 只能采用直接耦合方式。

25.放大交流信号,只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。 ( 1)输入级采用共集组态放大电路。 ( 2)输入级中的放大管采用复合管结构。 ( 3)输入级中的放大管采用场效应管。

27.复合管的 β值近似等于组成复合管的各晶体管的

26. 欲提高多级放大电路的输入电阻,试判断以下一些措施的正确性:

( √ ) ( √ ) ( √ ) ( √ )

PNP 管。

( √ )

值乘积。

28.一个 NPN 管和一个 PNP 管可以复合成 NPN 管也可以复合成

习题

4.1 定性判断图题 4.1 中哪些电路不具备正常的放大能力,并说明不能放大的原因。

Rc

C 2

Rc

V

CC

C2

Rc

V

CC

C 2

C 1

C 1

C 1

V CC

v i

T

v o

v i

T

R b

vo

v i

T

Rb

vo

( a )

V

BB

(b )

V BB

( c )

图题 4.1

解: ( a)不能放大,输入回路无偏置电压

( b)能放大

( c)不能放大, VCC 极性不正确。 4.2 放大电路及晶体管输出特性如图题

VBE 0.7V )并用图解法确定静态工作点

4.2 所示。按下述不同条件估算静态电流 Q(标出 Q 点位置和确定 ,求 Q1; ,求 Q2; ,求 Q3; 3k

2k ,求 Q4。

2k 2k

IBQ(取

I CQ、 VCEQ 的值)。

( 1) VCC=12V , Rb 150k ( 2) VCC=12V , Rb 110k ( 3) VCC=12V , Rb 150k ( 4) VCC=8V , Rb 150 k

, Rc , Rc , Rc , Rc

R b C 1

+V CC

8 6

i c mA

125 A 100 A 75 A 50 A IB =25 A

Rc

C2

T

v i

vo

R L

4 2

v

o

4

8

12

CE V

解: I BQ

VCCVBE Rb

图题 4.2

,作出各种情况下直流负载线

8 6

VCE VCC

A A A

I CQ Rc ,得 Q 点见下图

i c mA

Q1

Q2 Q

125 100 75

4 2

3

Q4

50 A

IB =25 A

0

4

v

8

12

CE V

( 1) Q1 :I BQ≈ 75μA , I CQ≈ 4mA , VCEQ ≈ 4V ( 2) Q2 :I BQ≈ 100μA , I CQ≈ 5.2mA , VCEQ≈ 1.7V ( 3) Q3 :I BQ≈ 75μA , I CQ≈ 3.5mA , VCEQ≈ 1.5V ( 4) Q4 :I BQ≈ 49μA , I CQ≈ 2.5mA , VCEQ≈ 3V 4.3 某晶体管输出特性和用该晶体管组成的放大电路如图题

= 0.6V ,电容对交流信号可视为短路。

( 1)在输出特性曲线上画出该放大电路的直流负载线和交流负载线,标明静态工作点 Q;

( 2)确定静态时 ICQ 和 VCEQ 的值;

( 3)当逐渐增大正弦输入电压幅度时,首先出现饱和失真还是截止失真? ( 4)为了获得尽量大的不失真输出电压,Rb 应增大还是减小?

4.3 所示,设晶体管的

VBEQ

.

+V CC

(+6V)

C 2

i C mA 6

60 A

Rb 270k

Rc

5

50 A

1.5k

v o

RL 1.5k

4 3

40 A 30 A

T

C 1

2

20 A

v i

1 o

1234

IB =10 A

v

5

6

CE V

V

解:( 1) I BQ

V

BEQ

图题 4.3

6 0.6 270

CC

A 20

,直流负载线

V

CE

VCC I CQ Rc 6 1.5I CQ ,

Rb

作图如下,得 I CQ≈ 2mA , VCEQ≈ 3V 。

交流负载线方城为

iC

1

vCE RL

1 RL

(VCEQ

ICQRL )

iC (

1 vCE 0.75

4.5 )(

mA

)

0.75

作出交流负载线如下图

i C mA 6 5 4

交流负载线

60 A

50 A 40 A 30 A

Q

直流负载线

3 2 1 0

20 A IB=10 A

1

2

3

4

5

v

6

CE V

( 2) I CQ≈2mA , VCEQ ≈ 3V

( 3)交流负载线上 Q 点到截止区的距离比 Q 点到饱和区的距离短, 所以首先出现截止 失真。

( 4)减小 Rb,使 IBQ 增加。 4.4 已知图题 4.4 所示电路中的晶体管

β =50,bb '

r

100 ,调整 R b 使静态电流 ICQ=0.5mA ,

C1、 C2 对交流信号可视为短路。

( 1)求该电路的电压放大倍数 Av ;

β

( 2)若晶体管改换成 = 100 的管子,其它元件(包括

1 2 ,约增大一倍) 化?(基本不变,约减小到原来的

β

( 3)若晶体管改换成 = 200 的管子,情况又如何?

Rb )都不变, Av 将发生什么变

Rb

+VCC (+12V)

Rc 8.2k

C 1

T

C 2

RL

v o

v i

8.2k

图题 4.4

解:( 1) r

r

be

b b

(1

) 26(mV )

50 4.1 2.75

I EQ (mA)

100 51 26

2.75k

0.5

Av

RL

75

rbe

( 2) Rb 不变, I BQ 基本不变,所以 rbe 基本不变,因此 Av 约增大一倍。

β

( 3) Rb 不变, I BQ 基本不变, 增加 4 倍, I CQ 增加 4 倍, VCEQ 进入饱和区,晶体管

饱和,失去正常放大能力。

4.5 已知图题 4.5 所示电路中晶体管

况下晶体管工作在什么状态。

(1) Rb= 10 k , Rc= 1k (2) Rb=510 k

, Rc=5.1k

=50, rbb ' 100 ,VBEQ= 0.7V 。判断在下列两种情

如果工作在线性放大状态,则进一步计算静态工作点

I BQ 、ICQ、VCEQ 以及电压放大倍数

Av 、输入电阻 Ri 、输出电阻 Ro (设电容 C1、 C2 对交流信号可视为短路) 。

R c

Rb C 1

C 2

+ VCC (+12V)

T

v i

vo

图题 4.5

解: (1) IBQ

V

CC

V

BEQ

12

Rb

0.7

1.13 mA

10

I CQ

I

BQ

56.5mA I CQ Rc

VCE 饱和

(2) I BQ

VCC

12 56.5 1 44.5V

VCC VBEQ 12 0.7

Rb

510

22 A

I

CQ

βI BQ

1.1mA

VCE VCC I CQ Rc 12 1.1 5.1 6.4V