发布时间 : 星期三 文章半导体物理学答案 刘恩科第七版更新完毕开始阅读1058190e0b4c2e3f57276385
第七章习题
1. 求Al-Cu、Au-Cu、 W-Al、 Cu-Ag、Al-Au 、Mo-W 、Au-Pt的接触器电势差，并标出电势的正负。
2. 两种金属A和B通过金属C相接触，若温度相等，证明其两端a 、b的电势差同A、B直接接触的电势差一样。如果A是Au,B是Ag, C是Cu或 Al，则Vab是多少伏？
3. 施主浓度ND=1017cm-3的n型硅 ，室温下的功函数是是多少？若不考虑表面态的影响，他分别同Al,Au,Mo接触时，形成阻挡层还是反阻挡？锗的电子亲合能取4.05eV。
4. 受主浓度NA=1017cm-3的p型锗，室温下的功函数是多少？若不考虑表面态的影响，他分别同Al,Au,Pt接触时，形成阻挡层还是反阻挡？锗的电子亲合能取4.13eV。
5. 某功函数为2.5eV的金属表面受到光的照射。 ①这个面吸收红色光或紫色光时，能放出光电子吗？
②用波长为185nm的紫外线照射时，从表面放出的光电子的能量是多少eV。 6. 电阻率为10??cm的n型锗和金属接触形成 的肖特基势垒高度为0.3eV。求加上5V反向电压时的空间电荷厚度。
7. 在n 型硅的（111）面上与金属接触形成肖特基势垒二极管。若已知势垒高度q?ns=0.73eV ，计算室温下的反向饱和电流JST.
8. 有一块施主硬度ND=1016cm-3的n型锗材料，在它的（111）面上与金属接触制成肖特基势垒二极管。已知VD=0.4V,求加上0.3V电压时的正向电流密度。
第十二章习题
1. 如图12-1所示，设样品长为8mm,宽为2mm,厚为0.2mm的Ge,在样品长度两段加1.0V的电压，得到10mA沿x方向的电流，在沿样品垂直方向（+z）加0.1T的磁场，则在样品长度两段测的电压VAC为-10mA,设材料主要是一种流自导电，试求： ①材料的导电类型； ②霍耳系数； ③载流自浓度； ④载流子迁移率。
2. 求本征Ge和Si室温时的霍耳系数。
3. 室温时测得Ge和Si的霍耳系数为零，求电子和空穴浓度。
4. 为判断Ge的导电类型，测得它的霍耳系数为负，而塞贝克系数为正，该材料的导电类型是什么？说明理由。
5. 对长1cm、宽2nm、厚0.2mm的n型Ge,如在长度两段加1.5V电压是4得到15mA的电流；再沿样品垂直方向加以0.2T的磁场，测的霍耳电压为-30mV,求： ①霍耳系数； ②载流子浓度； ③零磁场时的电阻率。
④0.2T时的电阻率（分别计算长生学波和电离杂质散射时的情况，设等能面为球面）。
6. InSb的电子迁移率为7.8m2/（V?s），空穴迁移率为780 cm2/（V?s），本征载流子浓度为1.6?1016cm-3,求300K时： ①本征材料的霍耳系数；
②室温时测得RH=0，求载流子浓度； ③本征电阻率。
7. 对厚为0.08cm的n型GaAs，沿长度x方向同以5mA的电流，沿样品垂直方向加0.5T的磁场，得到0.4mV的霍耳电压，求： ①霍耳系数； ②载流子浓度；
③如材料电阻率为1.5?10-3??cm，求载流子迁移率。
8. 测得霍耳系数时，由于霍耳电极不可能正好做在一个等势面上，因此，在沿x方向通电流时，即使z方向上不加磁场，在霍耳电极两端也能测出由于不等势而引起的横向电压V0，加磁场后，这个电压叠加在霍耳电压上，因此它要影响测量的准确性，必须加以消除。试证明：在+ Bz时测一次横向电压，将磁场改变方向后，即- Bz时再测一次横向电压，便能消除V0的影响。
9. 试证明由于热磁效应不等势电势V0的影响，测霍耳系数时，分别改变次磁场和电流的方向，共测四次横向电压，便能消除爱廷豪森效应的其他副效应。