发布时间 : 星期四 文章哈工大通信专业高频课程设计--高频发射机和超外差接收机更新完毕开始阅读1b26fbc8cbaedd3383c4bb4cf7ec4afe05a1b11a
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高频电子线路课程设计
学 院：电子与信息工程学院 专业班级： 姓 名：
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目录
高频电子线路课程设计…………………………………………………1 一 问题重述与分析 ........................................ 3 1.1
调
幅
发
射
机
分
析………………………………………………….....3 1.2
超
外
差
接
收
机
分
析………………………………………...……..…3
二 中波电台发射系统的设计 ................................ 4 2.1 模块电路设计与仿真 ................................ 4 2.1.1正弦波振荡器及缓冲电路及仿真 .................. 4 2.1.2高频小信号放大电路及仿真 ...................... 8 2.1.3.振幅调制电路及仿真 ........................... 9 2.1.4功率放大电路及仿真 ........................... 11 2.2
整
体
电
路
设
计
及
仿
真…………………………………………..11
三 中波电台接收系统设计……………………………………………12 3.1
混
频
器
电
路
及
仿
真……………………………………………..12 3.2
检
波
电
路
及
仿
真……………………………………………….14 3.3
低
频
功
率
放
大
器
及
仿
真……………………………………….15
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四 心得与体会 ........................................... 17 五 参考文献 ............................................. 18
一：问题重述与分析
本次设计中的两个系统，第一个是中波电台发射系统，设计目的是要求掌握最基本的小功率调幅发射系统的设计与安装调试。本设计中试用是基本调幅发射机。第二个是中波电台接收系统，设计目的是要求掌握最基本的超外差接收机的设计与调试。
1.1调幅发射机系统
系统框图如下图
载波信号正弦振荡器缓冲电路高频小信号放大振幅调制电路调制信号声电变换前置放大器低频放大高频功率放大天线图一：调幅发射机系统框图
本设计将声电变换部分，及其之后的前置放大器，低频放大器都省略，用一个低频的正弦波交流电源表示，输出部分的天线模块也用规定的输出负载代替。
现在结合题目所给性能指标进行分析：
载波频率535-1605KHz ，载波频率稳定度不低于10：正弦波振荡器产生的正弦波信号频率f为535 KHz到1605KHz，当震荡波形不稳定时，最大波动频率范围?f与频率f之比的数量级应该小于10 。
输出负载51Ω ：输出部分，即电路最终端的输出负载为51?。
总的输出功率50mW ：即输出负载上的交流功率，调幅指数30％~80％ ：设A为调幅波形的峰峰值，B为谷谷值，则由调幅指数计算公式有ma?-3
-3
A?B?100%。在振幅调制电A?B路中可通过更改调制信号振幅和外加直流电源实现此指标。
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调制频率500Hz~10kHz ：调制信号频率，由输入信号的频率来决定。
1.2 超外差调幅接收系统
系统框图如下
天线输入回路混频器中频放大器检波器低频电压放大器低频功率放大器正弦振荡器
图二
天线接收到信号后输入到输入回路进行初步处理，此为输入部分。输入信号与正弦波振荡器产生的等幅振荡信号经过混频器产生固定频率的中频信号。经过一系列处理之后由扬声器输出声音。实际计算中为方便将输出部分视为功率放大电路。
现在结合题目所给性能指标进行分析：
载波频率535-1605KHz：正弦波振荡器产生波形的频率f为535-1605KHz，通过有关知识设计电路即可。
中频频率465KHz：混频器输出信号频率为465KHz，混频器实际上是将两个输入信号频率进行相减，所以本性能指标说明良品率相减后得到频率为465KHz的信号。
输出功率0.25W：输出模块，即低频功率放大器输出功率为0.25W。
负载电阻8Ω：输入模块的输出电阻，由电路相关知识进行计算可匹配该指标 灵敏度1mV：灵敏度用来表征网络特性对元件参数变化的敏感程度，网络函数H或网络响应R(统一用T来表示) 对某元件相关参数p(p可以是元件参数或影响元件参数的温度、湿度、压力等)变化率称为网络函数对该参数的绝对灵敏度，记作：
H??T。 ?p在仿真软件中有灵敏度测试，可以直接使用对电路进行分析。
二：中波电台发射系统设计
2.1模块电路设计
2.1.1可调式正弦波振荡器及缓冲电路设计与仿真
已知条件：Vcc取+12V，晶体管2N2222，??150，导通电压UBZ?0.6V。
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