发布时间 : 星期一 文章材料科学基础A习题-1答案北理工考研基础复习资料更新完毕开始阅读210592246e175f0e7cd184254b35eefdc8d315ec
晶体中的原子也不能实现密堆排列，故以离子键或共价键结合的陶瓷具有较低的密度。
11、按照硅氧四面体的不同组合，硅酸盐的晶体结构可分为哪几种类型？
答：分为孤岛状、组群状、链状、层状和架状结构几种类型。
12、为什么在镁橄榄石晶体（2[4]）中，硅氧四面体是通过镁氧八面体而连接？其物理意义为何？
答：根据鲍林第四规则，在镁橄榄石晶体（2[4]）中，具有高电价、配位数较低的正离子硅氧四面体趋于不结合，因此，硅氧四面体通过镁橄榄石中的镁氧八面体而结合。其物理意义在于高电价、配位数较低的硅氧四面体之间的正离子静电排斥力较强，因此，硅氧四面体直接结合将导致晶体能量升高。若硅氧四面体通过具有较低电价、配位数较高的正离子镁氧八面体相连，则将降低正离子配位多面体之间的静电排斥力，提高晶体结构的稳定性。
13、在2离子晶体中，若以一个置换一个，则在附近将形成一个什么离子空位，为什么？
2+4+2+
答：在2离子晶体中，若以一个置换一个，则在附近将形成一个氧离子空位。这是为了保持晶体局部正、负电荷的平衡所需。
2+4+2+
14、为什么高分子材料不能在较高的温度下使用？
答：高分子材料的大分子之间是依靠分子键或氢键结合，由于分子键或氢键结合力较小，很容易受到高温的破坏，故高分子材料不能在较高的温度下使用
第三章 晶体缺陷
1、为什么说点缺陷是热力学平衡缺陷，而位错则不是？
答：在晶体中形成点缺陷将导致晶格畸变，使内能增加△U，并导致自由能增加 ，同时点缺陷形成也可使熵增加△S，导致自由能降低。由于在一定点缺陷浓度范围内，熵增△S导致的负的自由能增量可抵消内能增量△U导致的正的自由能增量，由△△△S，△△S可在点缺陷为某浓度时达到平衡，二者共同作用可使晶体自由能在晶体中存在一定浓度的点缺陷时最低，故点缺陷是热力学平衡缺陷。对于位错而言，其存在也使内能和熵增加，但熵增△S远低于内能增量△U，熵增△S导致的负的自由能增量
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不能抵消内能增量△U导致的正的自由能增量，故位错不是热力学平衡缺陷。
2、同一金属中，间隙原子的平衡浓度和空位的平衡浓度哪一个高？金属与陶瓷相比，哪一个中的点缺陷浓度高？为什么？
答：由于形成一个间隙原子所产生的晶格畸变能高于产生一个空位的畸变能，由点缺陷平衡浓度公式可知，同一金属中，间隙原子的平衡浓度比空位的平衡浓度高。金属与陶瓷相比，由于陶瓷为键能高于金属键的离子键或共价键结合，因此，在陶瓷中形成一个点缺陷所产生的畸变能高于金属中，同时，在离子陶瓷晶体中，点缺陷还必须成对出现，其形成较金属中更为困难，故陶瓷中的点缺陷浓度低于金属中。
3、为什么在固溶体中，当溶剂、溶质原子半径相差太大时，不能形成置换固溶体？，而当溶剂、溶质原子半径相差不大时，不能形成间隙固溶体？
答：在固溶体中，当溶剂、溶质原子半径相差太大时，以小原子置换大原子造成的晶格畸变高于小原子处于大原子构成的晶格间隙中时所造成的晶格畸变，故二者不能形成置换固溶体。而当溶剂、溶质原子半径相差不大时，若小原子处于大原子晶格的间隙中，造成的晶格畸变比小原子置换大原子造成的晶格畸变更高，故二者不能形成间隙固溶体。
4、为什么陶瓷中位错的密度低于金属中，且陶瓷中位错的滑移系少于金属中？
答：由于由于陶瓷为键能高于金属键的离子键或共价键结合，因此，在陶瓷中形成一条位错所产生的畸变能高于金属中，另外在离子晶体中，为保持电荷平衡，刃位错还必须以正、负半离子面同时出现，增加了形成刃位错的难度，故陶瓷中的位错密度低于金属中。又由于在离子键晶体中，一些位错滑移面和滑移方向因位错沿其的滑移受到静电排斥力的阻碍，使得其不能成为位错真正的滑移系，在共价晶体中由于共价键的方向性也限制了晶体中位错可进行滑移的晶面和晶向的数量，故陶瓷中位错的滑移系少于金属中。
5、如图，在晶体中的同一滑移面上有两个柏氏矢量和半径分别为b1、r1和b2、r2的位错环，已知r1＜r2, b12。
（1）在图示切应力τ的作用下，哪一个位错环先开始滑移。为什么？ （2）滑移开始后，两个位错环将如何变化？
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τ b1 b2 τ 答：（1）柏氏矢量为b2的位错环先开始滑移，这是因为对于弯曲的位错线，其线张力与外加切应力τ平衡时有τ≈2r，要使位错运动，τ 应大于2r，因柏氏矢量为b2的位错环半径大于柏氏矢量为b1 的位错环半径，故使其开始滑移的最小外加应切力τ2＜τ1, 因此，其先开始滑移。 （2）两个位错环开始滑移后，两个位错环在应力作用下将向外扩展并接触，在接触点处，两根位错为异号位错，故其将发生合并，最后两个位错环合并为一个大的位错环。
6、为什么位错线总是力图保持为直线？
答：位错导致晶格畸变，从而具有能量，为使其能量最低，位错总是尽量保持最短，故其总是力图保持为直线。
7、回答以下问题
（1）什么是肖脱基空位与弗兰克尔空位?
（2）一个位错环能否各部分都是螺型位错或都是刃型位错？请说明之。 （3）请指出面心立方晶体中单位位错和不全位错的柏氏矢量?
答：（1）当脱离其平衡位置的原子、离子迁移至晶界、表面等处消失，则因该原子、离子脱离平衡位置而形成的空位称为肖脱基空位。若原子、离子脱离平衡位置迁移至晶格的间隙中，则因原子、离子脱离平衡位置而形成的空位与处于晶格间隙的原子、离子合称弗兰克尔空位。
（2）一个位错环可以各部分都为刃位错，如当柏氏矢量垂直于一个位错环时。由于柏氏矢量不可能与位错环各处都保持平行状态，故位错环不可能各部分都是螺位错。
（3）面心立方晶体中单位位错的柏氏矢量为a<110>/2，肖克来不全位错的柏氏矢量为a<112>/6，弗兰克不全位错的柏氏矢量为a<111>/3。
8、在面心立方晶体中，（111）面上有一根柏氏矢量b1[101]/2的位错，另
?在（001）面上有一根柏氏矢量b2[110]/2的位错，在外力作用下，两位错滑移并在（111）面与（001）面相交处相遇，问：
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?（1）两根位错能否发生位错反应，为什么？写出反应形成的新位错柏矢矢量。
（2）新位错能否在（111）面上滑移，为什么？
?22222
答：（1）设新形成的位错柏氏矢量为12[011]/2，由于b/2＜b12/2+ 2
a/2，故过两个位错能发生位错反应。 （2）位错反应形成的位错柏氏矢量位于（111）面上，故该位错可以在（111）面上滑移。
9、肖克莱不全位错和弗兰克不全位错的运动形式是什么？若溶质原子在肖克莱不全位错处发生平衡偏聚，对层错面的扩大或缩小有何影响，为什么？
答：肖克莱不全位错的运动形式是滑移。若溶质原子在肖克莱不全位错处发生平衡偏聚，则将在肖克莱不全位错处形成低能态的溶质原子分布，从而阻碍肖克莱不全位错的运动。由于层错面的扩大或缩小来自于肖克莱不全位错的滑移运动，故溶质原子在肖克莱不全位错处平衡偏聚将阻碍层错面的扩大或缩小。
10、为什么位错的攀移运动通常只能发生在高温下？
答：位错的攀移依赖于原子的扩散，而原子的明显扩散通常只能发生在高温下，故位错的攀移运动通常只能发生在高温下。
11、下图为两根处于不同滑移面上的位错线相向运动。 （1）请画出两个位错线交割后各自的形状。
（2）交割后，哪根位错线的滑移会变得更加困难，为什么？
b1 位错线运动b2 答：（1）两个位错线交割后各自的形状如下：
b2 b1 8 / 9