发布时间 : 星期日 文章机械工程测试技术试题库（汇总）更新完毕开始阅读33b842025f0e7cd1842536bb
24. 磁电式绝对振动速度传感器的动态数学模型是（ ）
A. 一阶环节 B. 二阶环节 C. 比例环节 D. 积分环节 25. 电涡流传感器是利用被测（ A ）的电涡流效应
A. 金属导电材料 B. 非金属材料 C. PVF2 D. 陶瓷材料 26. 当电阻应变片式传感器拉伸时，该传感器电阻（ A ）
A. 变大 B. 变小 C. 不变 D. 不定 27. 极距变化型电容传感器的灵敏度与（D ）
A. 极距成正比 B. 极距成反比 C. 极距的平方成正比 D. 极距的平方成反比 28. 压电式加速度传感器的工作频率应（ C ）其固有频率
A. 远高于 B. 等于 C. 远低于 D. 不确定 29.调频式电涡流传感器的解调电路是（ C ）
A. 电荷放大器 B. 相敏检波器 C. 鉴频器 D. 鉴相器
30. 高频反射式电涡流传感器，其等效阻抗分为等效电阻R和等效电感L两部分，M为互感系数。当线圈与金属板之间距离δ减少时，上述等效参数变化为（ B ） A. R减小，L不变，M增大 B. R增大，L减小，M增大 C. R减小，L增大，M减小 D. R增大，L增大，M增大
31. 为消除压电传感器联接电缆分布电容变化对输出灵敏度的影响，可采用（ B ） A. 电压放大器 B. 电荷放大器 C. 相敏检波器 D. 鉴相器
32. 在测量位移的传感器中，符合非接触式测量且不受油污等介质影响的是（ D ）传感器
A. 电容式 B. 压电式 C. 电阻式 D. 电涡流式 33. 半导体热敏电阻随温度上升，其阻值（ ）
A. 上升 B. 下降 C. 保持不变 D. 变为0 34. 为使电缆的长短不影响压电式传感器的灵敏度，应选用（ B ）放大器 A. 电压 B. 电荷 C. 微分 D. 积分 35. 涡流式位移传感器的输出与被测对象的材料（ C ）
A. 无关 B. 不确定 C. 有关 D. 只限于测铜 36. 磁电式绝对振动速度传感器测振频率应（ C ）其固有频率
A. 远高于 B. 等于 C. 远低于 D. 不确定 37. 自感型传感器的两线圈接于电桥的相邻桥臂时，其输出灵敏度（ ） A. 提高很多倍 B. 提高一倍 C. 降低一倍 D. 降低很多倍 38. 变间隙式电容传感器测量位移量时，传感器的灵敏度随（ A ）而增大 A. 间隙的减小 B. 间隙的增大 C. 电流的增大 D. 电压的增大
40. 压电式振动传感器输出电压信号与输入振动的（ C ）成正比
A. 位移 B. 速度 C. 加速度 D. 时间 41. 压电式传感器是高阻抗传感器，要求前置放大器的输入阻抗（A ） A. 很大 B. 很低 C. 不变 D. 随意 42. 半导体应变片的灵敏度和电阻应变片的灵敏度相比（ A ） A. 半导体应变片的灵敏度高 B. 二者相等
C. 电阻应变片的灵敏试验高 D. 不能确定
43. 若石英晶体沿机轴受到正应力，则会在垂直于（ ）的面上产生电荷 A. 机轴 B. 电轴 C. 光轴 D. 都不
44. 压电式传感器是个高内阻传感器，因此要求前置放大器的输入阻抗（ ） A. 很低 B. 很高 C. 较低 D. 较高 45. 极距变化型电容式传感器，其灵敏度与极距（ D ）
A. 成正比 B. 平方成正比 C. 成反比 D. 平方成反比 46. 随电缆电容的增加，压电式加速度计的输出电荷灵敏度（ A ）
A 相应减小 B 比例增加 C 保持不变 D不确定 47. 压电式加速度计，其压电片并联可提高（ B ）
A. 电压灵敏度 B. 电荷灵敏度 C. 电压和电荷灵敏度 D. 电流灵敏度 48.（ B ）的基本工作原理是基于压阻效应
A. 金属应变片 B. 半导体应变片 C. 压敏电阻 D. 压电陶瓷
49. 可变磁阻式电感传感器，当线圈匝数N及铁芯截面积Ａ0确定后，原始气隙δ0越小，则电感L（ D ） A. 越小 B. 满足不失真条件 C. 阻抗匹配 D. 越大 50. 压电晶体式传感器其测量电路常采用（ B ）
A. 电压放大器 B. 电荷放大器 C. 电流放大器 D. 功率放大器
二、填空题
1. 涡流式传感器的变换原理是利用金属导体在交流磁场中的 。涡电流效
应
2. 磁电式传感器是把被测物理量转换为 的一种传感器。感应电动势 3.
4. 将压电晶体置于外电场中，其几何尺寸也会发生变化，这种效应称之为 。逆压电效应
5. 利用电阻随温度变化的特点制成的传感器叫 。热电阻传感器 6. 可用于实现非接触式测量的传感器有 和 等。涡流式；电容式 7. 电阻应变片的灵敏度 表达式为S?dR/R?1?2???E，对于金属应变片来说：dl/lS= ，而对于半导体应变片来说S= 。S?1?2?;S??E 8. 当测量较小应变值时应选用 效应工作的应变片，而测量大应变值时应选
用 效应工作的应变片。压阻效应；应变效应 9. 电容器的电容量C??0?A，极距变化型的电容传感器其灵敏度表达式为 。 ?S???AdC??02 d??10. 差动变压器式传感器的两个次级线圈在连接时应 。反相串接
11. 光电元件中常用的有 、 和 。光敏电阻；光敏晶体管；
光电池
12. 压电传感器在使用 放大器时，其输出电压几乎不手电缆长度变化的影响。电
荷
13. 超声波探头是利用压电片的 效应工作的。逆压电
14. 压电传感器中的压电片并联时可提高 灵敏度，后接 放大器。而串
联时可提高 灵敏度，应后接 放大器。电荷；电压?；电压；电压 15. 电阻应变片的电阻相对变化率是与 成正比的。应变值ε
16. 电容式传感器有 、 和 3种类型，其中 型的灵敏度最高。面积变化型；极距变化型；介质变化型；极距变化型 17. 霍尔元件是利用半导体元件的 特性工作的。霍尔效应
18. 按光纤的作用不同，光纤传感器可分为 和 两种类型。功能型；传
光型
三、名词解释
1. 一块金属板置于一只线圈附近，相互间距为?，当线圈中有一高频交变电流i通过时，
便产生磁通?。此交变磁通通过邻近金属板，金属板表层上产生感应电流即涡电流，涡电流产生的磁场会影响原线圈的磁通，使线圈的阻抗发送变化，这种现象称为涡流效应。 2. 某些物质在受到外力作用时，不仅几何尺寸发生变化，而且内部极化，表面上有电荷出
现，出现电场，当外力去除后，有重新恢复到原来状态，这种现象成为压电效应。 3. 金属材料在发生机械变形时，其阻值发生变化的现象成为电阻应变效应。
4. 将霍尔元件置于磁场中，当相对的两端通上电流时，在另相对的两端将出现电位差，称
为霍尔电势，此现象称为霍尔效应。
5. 当激光照射到运动物体时，被物体反射或散射的光频率即多普勒频率发生变化，且多普
勒频率与物体运动速度成比例，这种现象称为多普勒效应。
6. 某些半导体元件，当在相对的两端通上电流时，将引起沿电流方向电阻的变化，此现象
称为磁阻效应。
7. 传感器是直接作用于被测量，并能按一定规律将被测量转换成同种或别种量值输出的器
件。
8. 半导体材料受到光照时，电阻值减小的现象称为内光电效应。
9. 压阻效应是指单晶半导体材料在沿某一轴向受到外力作用时，其电阻率发生变化的现
象。
10. 在光照作用下，物体内的电子从物体表面逸出的现象称为外光电效应。 11. 在光的照射下使物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏打效应。
四、计算题
1. 把灵敏度为404×10-6PC／Pa的压电力传感器与一台灵敏度调到0.226mV／PC的电荷放
大器相接，求其总灵敏度。 解：
S＝404×10-6PC／Pa×0.226mV／PC ＝9.13×10-5 mV／Pa
2. 进行某次动态压力测量时，所采用的压电式力传感器的灵敏度为90.9nC/MPa，将它与增益为0.005V/nC的电荷放大器相连，而电荷放大器的输出接到一台记录仪上，记录仪的灵敏度为20mm/V。当压力变化为3.5MPa时，记录笔在记录纸上的偏移量是多少。 解：
S=90.9×0.005×20mm/ MPa
=9.09 mm/ MPa
记录笔在记录纸上的偏移量9.09×3.5mm＝31.82mm 3. 一电容测微仪，其传感器的圆形极板半径r＝4mm，工作初始?0?0.03mm，如果间隙变化量????1?m时，电容变化量是多少（真空中介电常数为ε0=-8.85×10-12F/m）。
解：
电容传感器的灵敏度
S????0A1?2
?8.85?10?12?3.14?(4?10?3)2 F/m ??32(0.03?10)??4.9?10?9F/m
∴?C?S?????4.9?10?10 F/m?4.9?10pF
4. 一电容测微仪，其传感器的圆形极板的半径r=4mm，工作初始间隙d0?0.3mm，空气介质，试求：（已知空气介电常数??8.85?10?12?9?6?3F/m）
（1）通过测量得到的电容变化量为?C??3?10pF，则传感器与工件之间由初始间隙变化的距离????
（2）如果测量电路的放大倍数K1?100mV/pF，读数仪表的灵敏度S2?5格/mV，则此时仪表指示值变化多少格？ 解：（1），极距变化型电容传感器灵敏度为：
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