发布时间 : 星期日 文章第1章 半导体器件 习题解答更新完毕开始阅读3af57ec789eb172ded63b7e5
RLmax?UZ10??400? ILmin25若RL??，将会烧毁稳压管
1．9电路如图P1－9所示,设二极管为理想二极管。根据以下条件，求二极管中的电流和Y的电位。
（1） 当VA =VB =5V时 解：
UY?10?5?4.76V
10?0.51UY??0.24mA 210 D1、D2的电流为ID1?ID2?（2） 当VA =10V，VB =0V时 解：
此时D1导通，D2截止。
10?10?9.09V
10?1U?UY10?9.09??0.9mA1 ID1?A11 UY? ID2?0
（3） 当VA =6V，VB =5.8V时 解：
假如D2截止，则UY?10?6?5.45V，故D2应该导通 1?10?UA?UY?ID1?1? ?UB?UY?ID2?1
?U?10?(I?I)D1D2?Y 解得：UY?5.62VID1?6?5.625.8?5.62?0.38mAID2??0.18mA 11R+Ui-DZ+UO-R+Ui-DZRL1kWUA1kWUBD1D2Y10kW图P1－7 图P1－8 图P1－9
1．10已知三极管的输出特性曲线如图P1－10所示，试求图中的IC =6mA，UCE =6V时，电流的放大系数?、?。
1086420IC/mA100μA80μA60μA40μAIB=20μA2 4 6 8 10 UCE/V图P1－10
解：
从图中得知：当IC＝6mA时，IB＝0.06mA
??ICIIC66 ??100 ??C???0.99IB0.06IEIC?IB6?0.06
1．11 已知处于放大状态的晶体管的三个电极对公共参考点的电压为U1、U2、U3，如图P1－11所示，试分别判断它们是NPN型或PNP型？是硅管还是锗管？并标出三个电极的符号。
U1U2U3U1U2U3T3U1U2T1U1U2U3T4U3T2图P1－11
解：
（1）NPN型 硅管 U1、U2、U3分别是B、E、C上的电压 （2）NPN型 锗管 U1、U2、U3分别是B、E、C上的电压
（3）PNP型 硅管 U1、U2、U3分别是C、B、E上的电压 （4）PNP型 锗管 U1、U2、U3分别是C、B、E上的电压
1．12已测得三极管的各极电位如图P1－12所示，试判别它们各处于放大、饱和与截止中的哪种工作状态？
? 6V0.3V(d)0.6V? 1.3V(e)? 1V? 1.1V5V(f)5V0V6V0.7V(a)0V2V(b)10V? 6V10V? 6.4V(c)? 6.7V
图P1－12
解：
（a） 发射极正偏、集电极反偏，故为放大状态 （b） 发射极反偏，故为截止状态
（c） 发射极正偏、集电极正偏，故为饱和状态 （d） 发射极正偏、集电极反偏，故为放大状态 （e） 发射极正偏、集电极正偏，故为饱和状态 （f） 发射极电压为0、集电极反偏，故为截止状态
1．13已知一个N沟道增强型MOS场效应管的开启电压UT =3V，IDO =4mA，请画出转移特性曲线示意图。 解：
转移特性曲线即ID和UGS的关系：
ID(mA)
ID?IDO(03UGSU?1)2?4(GS?1)2 UT3UGS(V)
1．14已知一个N沟道结型场效应管的夹断电压UP = ?4V，IDSS =5mA，请画出其转移特性曲线示意图，并计算当uGS = ?2V时iD的值。
解：
ID(mA)5
转移特性曲线即ID和UGS的关系：
ID?IDSS(1?UGS2U)?5(1?GS)2 UP?4
0?4UGS(V)
1．15已知某一晶体三极管(BJT)的共基极电流放大倍数?=0.99。(1) 在放大状态下，当其发射极的电流 IE =5mA时，求IB的值；(2) 如果耗散功率PCM =100mW，此时UCE最大为多少是安全的？(3) 当ICM =20mA时，若要正常放大，IB最大为多少？ 解：
（1）在放大状态下，当其发射极的电流 IE =5mA时，求IB的值；
IC??IE?0.99?5?4.95mA
IB?IE?IC?5?4.95?0.0m5A??5 0A（2） UCE?PCM100??20.2V IC4.95 UCE最大为20.2V （3） ???0.99??99 1??1?0.99ICM IBM?
??20?0.202mA?202?A 99