X射线衍射的应用 - 图文 联系客服

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图2叶腊石微结构“复”式层状结构的 SEM图片

1.4叶腊石晶格条纹相及电子衍射花样分析

在叶腊石晶体的高分辨透射电镜图片中,可以较清晰地发现其晶体结构的二维晶格像( 图3) 在图3a中,虚线区域 F的放大图片见实线框区域所示,其中可呈现出典型的二维晶格像 图3b为 F区域所对应的选区电子衍射图像,从其衍射花样可得到被检测的区域样品为一典型的单晶结构。

据图 3b中的电子衍射花样,可进行衍射花样的二维标定与被检测物相及相应晶型的鉴定,衍射花样示意见图4, 从图4 选区电子衍射花样的结构模拟示意可知,距中心透射斑点o 距离由近及远三衍射点分别A,B,C ,其中 OA,OB间距分别为 d1(0.4744nm)与d2(0.3841nm) ,且 与d2所在矢量方向所夹锐角为78.3 鉴于上述对衍射花样的标定,可以看出对于高分辨透射电镜下观察的叶腊石晶体而言,其晶格同时发生较明显的畸变( 晶格膨胀) 在本实验观察中,叶腊石晶体在( 020) 和( 113) 晶面分别产生0.02998nm与0.04999nm 滑移,同时所观察到的晶面夹角也出现由理论值向小角度偏移趋势。

此外,本工作中还多次的在同一视域中,观察到规则的不同定向的晶格条纹像,且可辨析 的 清晰程度也存在着明显的不同。

图3叶腊石晶体结构的二维晶格条纹像及对应的选区电子衍射图

(SAED )

图4选区电子衍射花样结构模拟

三,利用电子探针进行成分分析

电子探针,Electron Microprobe,全名为电子探针X射线显微分析仪,又名微区X射线谱分析仪。可对试样进行微小区域成分分析。除H、He、Li、Be等几个较轻元素外,都可进行定性和定量分析。电子探针的大批量是利用经过加速和聚焦的极窄的电子束为探针,激发试样中某一微小区域,使其发出特征X射线,测定该X射线的波长和强度,即可对该微区的元素作定性或定量分析。将扫描电子显微镜和电子探针结合,在显微镜下把观察到的显微组织和元素成分联系起来,解决材料显微不均匀性的问题,成为研究亚微观结构的有力工具。电子枪发射的电子束被聚光镜聚集成直径为纳米级的细束。一种分析仪器,可以用来分析薄片中矿物微区的化学组成。该仪器将高度聚焦的电子束聚焦在矿物上,激发组成矿物元素的特征X射线。用分光器或检波器测定荧光X射线的波长,并将其强度与标准样品对比,或根据不同强度校正直接计数出组分含量。

电子探针又称微区X射线光谱分析仪、X射线显微分析仪。其原理是利用聚焦的高能电子束轰击固体表面,使被轰击的元素激发出特征X射线,按其波长及强度对固体表面微区进行定性及定量化学分析。主要用来分析固体物质表面的细小颗粒或微小区域,最小范围直径为1μm左右。分析元素从原子序数3(锂)至92(铀)。绝对感量可达10-14至10-15g。近年形成了扫描电镜—显微分析仪的联合装置,可在观察微区形貌的同时逐点分析试样的化学成分及结构。广泛应用于地质、冶金材料、水泥熟料研究等部门。

1. 工作原理

电子探针有三种基本工作方式:点分析用于选定点的全谱定性分析或定量

分析,以及对其中所含元素进行定量分析;线分析用于显示元素沿选定直线方向上的浓度变化;面分析用于观察元素在选定微区内浓度分布。由莫塞莱定律可知,各种元素的特征X射线都具有各自确定的波长,通过探测这些不同波长的X射线来确定样品中所含有的元素,这就是电子探针定性分析的依据。而将被测样品与标准样品中元素Y的衍射强度进行对比,就能进行电子探针的定量分析。当然利用电子束激发的X射线进行元素分析,其前提是入射电子束的能量必须大于某元素原子的内层电子临界电离激发能。

电子探针可以对试样中微小区域(微米级)的化学组成进行定性或定量分析。可以进行点、线扫描(得到层成分分布信息)、面扫描分析(得到成分面分布图像)。还能全自动进行批量(预置9999测试点)定量分析。由于电子探针技术具有操作迅速简便(相对复杂的化学分析方法而言)、实验结果的解释直截了当、分析过程不损坏样品、测量准确度较高等优点,故在冶金、地质、电子材料、生物、医学、考古以及其它领域中得到日益广泛地应用,是矿物测试分析和样品成分分析的重要工具。

2. 利用电子探针进行定量分析 2.1对试样要求:

在扫描电子显微镜中对厚试样如钢铁或其他合金进行微区成分分析时,要

求对试样表面进行抛光.用光谱仪进行分析时要用仪器上带有的光学显微镜严格确定试样表面的高度(试样表面聚焦清楚时电子束激发的x射线点源正好在聚焦圆上),电子束应固定在试样图像的中心,电子束偏离中心较远时点源将偏离聚焦圆.用能谱仪进行分析时,对x射线的定位要求可适当降低.

用线扫描和面扫描分析模式可以得到某一元素的线分布或面分布,但精确度比上述定点测量显著降低.在透射电子显微镜中判别试样是否符合薄试样判据,如试样厚度超过薄试样的范围,就需要考虑吸收修正和二次荧光修正. 2.2适当选择加速电压:

电离截面峰值在过电压比约为3的地方,选择的加速电压应使各元素的过电压比在2—10之间(对扫描电子显微镜中的厚试样而言)或过电压比尽量增大(对透射电子显微镜中的薄试样而言).对厚试样如过电压比小于1.5,分析准

确度将显著降低;如试样中有轻元素,过电压比不宜太大(但要照顾到临界激发能高的元素),因为过高的加速电压使轻元素标识谱的范围向深处扩展,使吸收效应的修正精确度下降.一般分析Cu合金、Fe合金时用25 kV加速电压;分析含有大量轻元素的试样时用15—20 kV加速电压.薄试样的信号较弱,透射电子显微镜的加速电压如增加到100kV,甚至200kV时,信号—噪声比有所增大,分析精确度有所提高。 2.3分析实例 (a) 1. 定点分析:

将电子束固定在要分析的微区上,用波谱仪分析时,改变分光晶体和探测器的位置,即可得到分析点的X射线谱线;用能谱仪分析时,几分钟内即可直接从荧光屏(或计算机)上得到微区内全部元素的谱线。

镁合金中的析出相CaMgSi的鉴别

Spectrum1 位置析出相富含Ca、Mg、Si元素