发布时间 : 星期一 文章PECVD与LPCVD技术差异说明更新完毕开始阅读4d00e159f7ec4afe04a1dfdf
2.3 PECVD設備類型
Inline Type
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Batch Type
Cluster Type
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第三章、什麼是LPCVD
3.1低壓化學氣相沈積(LPCVD)
低壓化學氣相沈積(LPCVD)是在低於大氣壓狀況下進行沈積。下圖是一個典型的低壓化學氣相沈積系統的結構示意圖。在這個系統中沈積室(deposition chamber)是由加熱板(HEATER)和氣體分佈蓋板(Gas shower)所構成，而物件是平躺在加熱板上，這是一種『批次型式』(batch-type)的沈積製程方式。這種系統是一個熱壁系統，加熱裝置是置heater plate。在LPCVD系統中頇要安裝一個真空幫浦，使沈積室內保持在所設定的低壓狀況，並且使用壓力計來監控製程壓力。
物件在經過加熱板加熱後和留下來的混合氣體產生化學反應產生模層
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LPCVD系統的主要優點在於具有優異的薄膜均勻度，以及較佳的階梯覆蓋能力，並且可以沈積大面積的晶片；而LPCVD的缺點則是沈積速率較低，而且經常使用具有毒性、腐蝕性、可燃性的氣體。由於LPCVD所沈積的薄膜具有較優良的性質，因此在積體電路製程中LPCVD是用以成長磊晶薄膜及其它品質要求較高的薄膜。
3.2LPCVD設備類型
Inline Type
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