发布时间 : 星期三 文章MEMS工艺考试试卷(B卷)更新完毕开始阅读4f0aa3ac84868762caaed59d
2007-2008学年第一学期末考试试题(B卷)
MEMS工艺
使用班级:05182401, 05182402, 05182403
得分 总分
一.填空(20分)[每题2分]
1、硅的杨氏模量与 相似。 2、硅晶体的腐蚀在 方向最慢。 3、硅晶体的晶格长度为 nm。
4、常用的光刻中的紫外线光源的i线是 nm。 5、在模拟实验中,氧化温度是 。 6、一般来讲,湿法腐蚀比干法腐蚀快 倍。 7、表面微制造中最常用的结构材料是 。 8、粘附现象存在于 。
9、成本最低的微制造工艺是 。
10、在曝光后不被溶解的光刻胶是 。 得分
二、选择题(20分)[每题2分]
1、LIGA工艺制造MEMS,采用的材料( ) (A)限于硅;(B)限于陶瓷;(C)对材料几乎没有限制 2、硅晶体的晶格长度为( )纳米 (A)0.543,(B)0.643,(C)0.743
3、扩散用于对半导体的参杂,它同离子注入过程相比( ) (A)较慢 (B)较快 (C)同等速率
4、KOH腐蚀剂对SiO2的腐蚀速率要比对硅的腐蚀速率慢( ) (A)100倍;(B)1000倍;(C)20,000倍; 5、LIGA工艺的主要优势之一是它能够产生( ) (A)高深宽比的微结构;(B)低成本的微结构;(C)尺寸精确的微结构 6、粘附存在于( ) (A)体硅微制造;(B)表面微制造;(C)激光微加工 7、在室温下进行的导线连结技术是( ) (A)热压,(B)楔形-楔形超声键合,(C)热声键合 8、硅的过分掺杂会导致( ) (A)残余应力;(B)p-n 掺杂硅;(C)硅基底中的原子键断裂
9、同步x-射线在LIGA工艺中用于光刻的原因是( ) (A)它对光刻胶更有效;(B)它是更便宜的光源;(C)它能深入光刻胶材料 10、SOI是代表( ) (A)离子分裂,(B)绝缘物上的硅,(C)绝缘物下的基质 得分
三、简答题(30分)[每题6分]
1、简述干氧氧化、湿氧氧化和水汽氧化的异同
2、何谓CVD? 常用的有哪几种CVD?
3、简述各向异性腐蚀时(100)面与(111)面腐蚀速度差异比较大的原因
4、简述离子注入设备的各个部分的名称和功用
5、简述引线键合的作用,有哪几种引线键合 得分
四、论述题(30分)[每题15分]
1、 论述双面光刻是如何进行对准的?对准符号有哪些?
15分) (
2、 论述粘附现象产生的原因及其预防措施(15分)