武汉理工大学材料科学基础课后习题和答案 联系客服

发布时间 : 星期六 文章武汉理工大学材料科学基础课后习题和答案更新完毕开始阅读513291f00812a21614791711cc7931b764ce7b74

(4)Si占四面体空隙=1/8,Mg占八面体空隙=1/2。

23、解:透闪石双链结构,链内的Si-O键要比链5的Ca-O、Mg-O键强很多,所以很容易沿链间结合力较弱处劈裂成为纤维状;滑石复网层结构,复网层由两个[SiO4]层和中间的水镁石层结构构成,复网层与复网层之间靠教弱的分之间作用力联系,因分子间力弱,所以易沿分子间力联系处解理成片状。

24、解:石墨中同层C原子进行SP2杂化,形成大Π键,每一层都是六边形网状结构。由于间隙较大,电子可在同层中运动,可以导电,层间分子间力作用,所以石墨比较软。

25、解:(1)Al可与O形成[AlO];Al与Si处于第二周期,性质类似,易于进入硅酸盐晶体结构中与Si发生同晶取代,由于鲍林规则,只能部分取代;(2)Al置换Si是部分取代,Al取代Si时,结构单元[AlSiO4][ASiO5],失去了电中性,有过剩的负电荷,为了保持电中性,将有一些半径较大而电荷较低的阳离子如K、Ca、Ba进入结构中;(3)设Al置换了一半的Si,则O与一个Si一个Al相连,阳离子静电键强度=3/4×1+4/4×1=7/4,O电荷数为-2,二者相差为1/4,若取代超过一半,二者相差必然>1/4,造成结构不稳定。

4+

3+

2-+

2+

2+

3+

4+

2-4+

4+

3+

4+

3+

3+

2-45-3+

4+

4+2+

第三章 晶体结构缺陷

1、 说明下列符号的含义:

VNa,VNa’,VCl?,.(VNa’VCl?),CaK?,CaCa,Cai?? 2、写出下列缺陷反应式:

(1)NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体; (2)CaCl2溶人NaC1中形成空位型固溶体; (3)NaCl形成肖脱基缺陷;

(4)AgI形成弗仑克尔缺陷(Ag+进入间隙)。

3、MgO的密度是3.58克/厘米3,其晶格参数是,计算单位晶胞MgO的肖脱基缺陷数。 4、(a)MgO晶体中,肖脱基缺陷的生成能为6eV,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。(b)如果MgO晶体中,含有百万分之一摩尔的A12O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势,说明原因。

5、MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol,计算该晶体在1000K和1500K的缺陷浓度。

6、非化学计量化合物FexO中,Fe3+/Fe2+=,求FexO中的空位浓度及x值。

7、非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的分压,非化学计量化合物Fe1-XO及Zn1+XO的密度将发生怎么样的变化?增大还是减小?为什么?

8、对于刃位错和螺位错,区别其位错线方向、柏氏矢量和位错运动方向的特点。 9、图是晶体二维图形,内含有一个正刃位错和一个负刃位错。 (a)围绕两个位错柏格斯回路,最后得柏格斯矢量若干? (b)围绕每个位错分别作柏氏回路,其结果又怎样?

10、有两个相同符号的刃位错,在同一滑移面上相遇,它们将是排斥还是吸引? 11、晶界对位错的运动将发生怎么样的影响?能预计吗?

12、晶界有小角度晶界与大角度晶界之分,大角度晶界能用位错的阵列来描述吗? 13、试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。

14、从化学组成、相组成考虑,试比较固溶体与化合物、机械混合物的差别。 15、试阐明固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物三者之间的异同点,列出简明表格比较。

16、在面心立方空间点阵中,面心位置的原子数比立方体顶角位置的原子数多三倍。原子 B溶入A晶格的面心位置中,形成置换型固溶体,其成分应该是A3B呢还是A2B?为什么?

17、Al2O3在MgO中形成有限固溶体,在低共熔温度1995℃时,约有18重量%Al2O3溶入MgO中,假设MgO单位晶胞尺寸变化可忽略不计。试预计下列情况的密度变化。 (a) O2-为填隙离子。 (b) A13+为置换离子。

18、对磁硫铁矿进行化学分析:按分析数据的Fe/S计算,得出两种可能的成分:Fe1-xS 和FeS1-x。前者意味着是Fe空位的缺陷结构;后者是Fe被置换。设想用一种实验方法以确定该矿物究竟属哪一类成分。

19、说明为什么只有置换型固溶体的两个组份之间才能相互完全溶解,而填隙型固溶体则不能。

20、如果(1)溶剂和溶质原子的原子半径相差超过±15%;(2)两元素的电负性相差超过 ±%,通常这一对元素将不利于形成置换型固溶体,其中前一因素往往起主导作用。

仅根据提供的资料提出哪一对金属大概不会形成连续固溶体:Ta—W,Pt—Pb.Co一Ni,Co—Zn,Ti—Ta。 金属 原子半径(nm) Ti Co Ni 晶体结构 金属 原子半径(nm) Zn Ta W Pt Pd 晶体结构 六方 体心立方 体心立方 面心立方 面心立方 六方 (<883 ℃ ) 体心立方(>883 ℃ ) 六方 (<427 ℃ ) 面心立方(~427 ℃ ) 面心立方 21、对于MgO、Al2O3,和Cr2O3,其正、负离子半径比分别为、和,则A1203和Cr23形成连续固溶体。

(a)这个结果可能吗?为什么?

(b)试预计,在MgO—Cr2O3系统中的固溶度是有限的还是无限的?为什么?

22、某种NiO是非化学计量的,如果NiO中Ni3+/Ni2+=10-4,问每m3中有多少载流子。 23、在MgO-Al2O3和PbTiO2-PbZrO3中哪一对形成有限固溶体,哪一对形成无限固溶体,为什么?

24、将CaO外加到ZrO2中去能生成不等价置换固溶体,在1600℃时,该固体具有立方萤石结构,经x射线分析测定,当溶入摩尔CaO时,晶胞参数a=5.131A,实验测定密度D=0.5477克/cm3,对于CaO-Zr02固溶体来说,从满足电中性来看,可以形成氧离子空位的固溶体也可形成Ca2+嵌入阴离子间隙中的固溶体,其固溶方程为:

请写出两种固溶体的化学式,并通过计算密度,判断生成的是哪一种固溶体。

答案

1、解:钠原子空位;钠离子空位,带一个单位负电荷;氯离子空位,带一个单位正电荷;最邻近的Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心;Ca2+占据K.位置,带一个单位正电荷;Ca原子位于Ca原子位置上;Ca2+处于晶格间隙位置。 2、解:(1)NaClNaCa’+ ClCl + VCl·

(2)CaCl2CaNa· + 2ClCl + VNa’ (3)OVNa’ + VCl· (4)AgAgVAg’ + Agi·

3、解:设有缺陷的MgO晶胞的晶胞分子数为x,晶胞体积V=3,x=ρVN0/M=,单位晶胞的肖脱基缺陷数=4-x=。

4、解:(a)根据热缺陷浓度公式 n/N=exp(-E/2RT),E=6eV=6××10-19=×10-19J, T=298k:n/N=×10-51,T=1873k:n/N=×10-9;

(b)在MgO中加入百万分之一的AL2O3,AL2O32ALMg· + VMg’’ + 3OO,∵[AL2O3]= 10-6,∴[杂质缺陷]=3×10-6/2=×10-6,∴比较可知,杂质缺陷占优。

5、解:n/N=exp(-E/2RT),R=,T=1000k:n/N=×10-3;T=1500k:n/N=×10-2。 6、解:Fe2O32FeFe· + 3OO + VFe’’

y 2y y Fe3+2yFe2+1-3yO, X=1-y==, [VFe’’]===×10-2

7、解:Zn(g)Zni + e’, Zn(g) + 1/2O2 = ZnO , Zni + e’+ 1/2O2 ZnO , [ZnO]=[e’], ∴PO2 [Zni·] ρ O2(g) OO + VFe’’ + 2h

k=[OO][ VFe’’][h·]/PO21/2=4[OO][ VFe’’]3/ PO21/2 , [ VFe’’] ∝PO2-1/6, ∴ PO2 [ VFe’’] ρ

8、解:刃位错:位错线垂直于位错线垂直于位错运动方向;螺位错:位错线平行于 位错线平行于位错运动方向。 9、略。

10、解:排斥,张应力重叠,压应力重叠。 11、解:晶界对位错运动起阻碍作用。

12、解:不能,在大角度晶界中,原子排列接近于无序的状态,而位错之间的距离可能只有一、两个原子的大小,不适用于大角度晶界。

13、解:(1)原子或离子尺寸的影响,△r<15%时,可以形成连续固溶体;△r=15%~30%时,只能形成有限型固溶体;△r>30%很难或不能形成固溶体;△r愈大,固溶度愈

·

·