基于单片机的直流电机调速系统毕业设计 联系客服

发布时间 : 星期六 文章基于单片机的直流电机调速系统毕业设计更新完毕开始阅读609ed1618ad63186bceb19e8b8f67c1cfbd6ee51

2.串行计数器

系统PWM信号发生电路中还使用到一片串行计数器,有串行计数功能的芯片有4024、4040等,它们具有相同的电路结构和逻辑功能,但4024是7位二进制串行计数器,而芯片4040是一个12位的二进制串行计数器,所有计数器位为主从触发器,计数器在时钟下降沿进行计数。当CR为高电平时,它对计数器进行清零,由于在时钟输入端使用施密特触发器,故对脉冲上升和下降时间没有限制,所有的输入和输出均经过缓冲。本系统使用4040作为串行计数器,芯片4040的引脚图如图2-11所示:

图2-11 4040引脚图

2.3 功率放大驱动电路设计

功率放大驱动芯片有多种,其中较常用的芯片有IR2110和EXB841,但由于IR2110具有双通道驱动特性,且电路简单,使用方便,价格相对EXB841便宜,具有较高的性价比,且对于直流电机调速使用起来更加简便,因此该驱动电路采用了IR2110集成芯片,使得该集成电路具有较强的驱动能力和保护功能。 2.3.1 芯片IR2110性能及特点

IR2110是美国国际整流器公司利用自身独有的高压集成电路以及无闩锁CMOS技术,于1990年前后开发并且投放市场的,IR2110是一种双通道高压、高速的功率器件栅极驱动的单片式集成驱动器。它把驱动高压侧和低压侧MOSFET或IGBT所需的绝大部分功能集成在一个高性能的封装内,外接很少的分立元件就能提供极快的功耗,它的特点在于,将输入逻辑信号转换成同相低阻输出驱动信号,可以驱动同一桥臂的两路输出,驱动能力强,响应速度快,工作电压比较高,可以达到600V,其内设欠压封锁,成本低、易于调试。高压侧驱动采用外部自举电容上电,与其他驱动电路相比,它在设计上大大减少了驱动变压器和电容的数目,使得MOSFET和IGBT的驱动电路设计大为简化,而且它

10

可以实现对MOSFET和IGBT的最优驱动,还具有快速完整的保护功能。与此同时,IR2110的研制成功并且投入应用可以极大地提高控制系统的可靠性。降低了产品成本和减少体积。 2.3.2 IR2110的引脚图以及功能

IR2110将输入逻辑信号转换成同相低阻输出驱动信号,可以驱动同一桥臂的两路输出,驱动能力强,响应速度快,工作电压比较高,是目前功率放大驱动电路中使用最多的驱动芯片。其结构也比较简单,芯片引脚图如下所示:

图2-12 IR2110引脚图

2.4 主电路设计 2.4.1 延时保护电路

利用IR2110芯片的完善设计可以实现延时保护电路。

IR2110使它自身可对输入的两个通道信号之间产生合适的延时,保证了加到被驱动的逆变桥中同桥臂上的两个功率MOS器件的驱动信号之间有一互琐时间间隔,因而防止了被驱动的逆变桥中两个功率MOS器件同时导通而发生直流电源直通路的危险。 2.4.2 主电路

从上面的原理可以看出,产生高压侧门极驱动电压的前提是低压侧必须有开关的动作,在高压侧截止期间低压侧必须导通,才能够给自举电容提供充电的通路。因此在这个电路中,Q1、Q4或者Q2、Q3是不可能持续、不间断的导通的。我们可以采取双PWM信号来控制直流电机的正转以及它的速度。

将IC1的HIN端与IC2的LIN端相连,而把IC1的LIN端与IC2的HIN端

11

相连,这样就使得两片芯片所输出的信号恰好相反。

在HIN为高电平期间,Q1、Q4导通,在直流电机上加正向的工作电压。其具体的操作步骤如下:

当IC1的LO为低电平而HO为高电平的时候,Q2截止,C1上的电压经过VB、IC内部电路和HO端加在Q1的栅极上,从而使得Q1导通。同理,此时IC2的HO为低电平而LO为高电平,Q3截止,C3上的电压经过VB、IC内部电路和HO端加在Q4的栅极上,从而使得Q4导通。

电源经Q1至电动机的正极经过整个直流电机后再通过Q4到达零电位,完成整个的回路。此时直流电机正转。

在HIN为低电平期间,LIN端输入高电平,Q2、Q3导通,在直流电机上加反向工作电压。其具体的操作步骤如下:

当IC1的LO为高电平而HO为低电平的时候,Q2导通且Q1截止。此时Q2的漏极近乎于零电平,Vcc通过D1向C1充电,为Q1的又一次导通作准备。同理可知,IC2的HO为高电平而LO为低电平,Q3导通且Q4截止,Q3的漏极近乎于零电平,此时Vcc通过D2向C3充电,为Q4的又一次导通作准备。

电源经Q3至电动机的负极经过整个直流电机后再通过Q2到达零电位,完成整个的回路。此时,直流电机反转。

因此电枢上的工作电压是双极性矩形脉冲波形,由于存在着机械惯性的缘故,电动机转向和转速是由矩形脉冲电压的平均值来决定的。

设PWM波的周期为T,HIN为高电平的时间为t1,这里忽略死区时间,那么LIN为高电平的时间就为T-t1。HIN信号的占空比为D=t1/T。设电源电压为V,那么电枢电压的平均值为:

Vout= [ t1 - ( T - t1 ) ] V / T = ( 2 t1 – T ) V / T = ( 2D – 1 )V

定义负载电压系数为λ,λ= Vout / V, 那么 λ= 2D – 1 ;当T为常数时,改变HIN为高电平的时间t1,也就改变了占空比D,从而达到了改变Vout的目的。D在0—1之间变化,因此λ在±1之间变化。如果我们联系改变λ,那么便可以实现电机正向的无级调速。

当λ=0.5时,Vout=0,此时电机的转速为0; 当0.5<λ<1时,Vout为正,电机正转; 当λ=1时,Vout=V,电机正转全速运行。

12

图2-13 系统主电路

2.4.3 输出电压波形

系统电路经过单片机控制的PWM信号产生电路送来的PWM信号,经过功率放大电路,形成输出电压的波形图如下图如示:

图2-14 输出电压波形 13