发布时间 : 星期三 文章mentor graphics下的集成电路设计更新完毕开始阅读67de2b79168884868762d6c2
集成电路课程设计实验
测delay，
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集成电路课程设计实验
测量vth及Id
其他参数的测量与记录 测量 次数 管子参数 p n delay Rise /ps Fall /ps Fall Time /ps Rise Time /ps 800 Vth /v Id /ua 1 250 / 130 150 63 / 130 250 34.25 / -198 800 0.466 10.578 2 250 / -178.8 800 800 0.498 12.803 - 14 -
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130 130 3 150 / 130 250 52.84 / 130 -203.82 800 800 0.474 10.293 经波形测量，就第三组数据而言，得以下数据： 延迟Tpd=(Tpdhl+Tpdlh)/2=75.49ps， 上升时间Raisetime=800ps， 下降时间Falltime=800ps。
对输入电压做直流扫描DC分析，可得开关门限：Vth=474mV。
四、电路版图设计与规则验证 1、工艺与版图层次描述
工艺：采用mentor自带的0.13μm工艺，p衬底n阱。 版图层次说明：
层名 NWELL OD POLYG PP NP CO M1 M2 VIA1 层号 3 6 17 25 26 30 31 32 51 说明 N阱 薄氧 多晶硅 P+ 注入 N+ 注入 接触孔 第1层金属 第2层金属 1，2层金属的过孔 - 15 -
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MET1TEXT MET2TEXT 2、版图设计
（1）设计Poly_M1_PP
131 132 金属1的端口标识 金属2的端口标识 通过New group> parts > Poly_M1_PP，进入版图设计页面。并在设计页面的菜单栏里选择Setup> grid > 0.005
Poly_M1_PP的layout作图规则如下：CO边长0.16，M1比CO大0.05, PolyG比CO大0.07, PP比Poly大0.2。 Poly_M1_PP版图设计如下：
（2）设计Poly_M1_NP
复制Poly_M1_PP，并粘贴到New group> parts文件夹下，重命名(Rename)为Poly_M1_NP。打开Poly_M1_NP的layout，将外面的PP层改为NP层。Poly_M1_NP版图如下：
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