发布时间 : 星期二 文章基于mSAP工艺的半导体IC载板产业化项目资金申请报告更新完毕开始阅读6e1058b903020740be1e650e52ea551810a6c9bb
基于mSAP工艺的半导体IC载板产业化项目
资金申请报告
高技术产业化项目资金申请报告编制要点
项目概要：主要包括项目单位名称，项目单位注册地址，项目单位法人代表，项目建设期限、项目建设地点；项目的意义和必要性概述，项目单位财务状况概述，项目技术基础概述，建设方案概述，建设条件落实情况概述，投资估算及资金筹措概述，项目效益概述等（概要部分文字控制在3000字以内，篇幅不超过7页）。
高阶手机处理器(AP)嵌入式线路封装载板智能化生产线项目，项目单位##科技##有限公司，项目单位注册地址: ##市.项目单位法人代表:##，项目建设期限:2018年10月-2019年12月，项目建设地点: ##市经济技术开发区##路。投资总额4500万元，全部由企业自有资金解决。
一、项目的意义和必要性
国内外现状及技术发展趋势，项目对相关产业发展的作用和影响，市场分析。
1.1项目背景
半导体IC载板是集成电路不可或缺的一环。封装载板在芯片封装中起到承载裸芯片的作用，为芯片提供支撑、散热和保护，同时为芯片与 PCB 母板之间提供电气连接，因此封装载板是集成电路（IC）封装的关键部件，在部分高端产品中，封装载板占封装领域 40-60% 的成本。
自20世纪90年代早期到中期以来，HDI 载板经历了几次变化，现在可以说是进入了第三个发展期。 早期的HDI板基于减成法或印刷蚀刻工艺，利用传统的板芯和顺序层压步骤可生产线宽/线距约为60μm的高端电路板。最重要的是，依靠微通孔来达到当时用其他技术很难实现的高密度互连特性。
随着PCB制造商不断改进工艺，HDI载板性能也得到了改善；随着智能手机的发展，21世纪初，第二代HDI应运而生。在保留激光钻微通孔的同时，堆叠的通孔开始取代交错的导通孔，并结合“任意层”构建技术，HDI板最终的线宽/线距达到了40μm。
这种任意层的方法仍然基于减成法工艺，而且可以肯定的是，对于移动电子产品来说，大多数高端HDI仍然采用这种技术。然而，在2017年，HDI开始迈入新的发展阶段，开始从减成法工艺转向基于图形电镀的工艺。
半加成法（SAP）采用图形电镀工艺，可使电路特征<15μm，主要为应对封装载板尺寸要求。 然而，半加成法（mSAP）和改良型半加成法（amSAP）是经过修改和高级修改后的版本，必将成为下一代HDI 载板主要采用的工艺。##科技在半导体IC载板行业深耕细作多年，升级转型运作mSAP工艺的载板具有先天的优势。 1.2国内外现状及技术发展趋势
日本企业是IC载板的开创者，技术实力最强，掌握利润最丰厚的CPU载板。韩国和台湾企业则依靠产业链配合，韩国拥有全球70%左右的内存产能，三星一直为苹果代工处理器，三星也能够生产部分手机芯片。台湾企业则在产业链上更强大，台湾拥有全球65%的晶圆代工产能，80%的手机高级芯片由台湾TSMC或UMC代工，这些代工的利润率远高于传统电子产品的利润率，毛利率在50%以上。以联发科的MT6592为例，代工由TSMC或UMC完成，封装由ASE和SPIL完成，载板由景硕提供，测试由KYEC完成，这些厂家都在一个厂区内，效率极高。大陆企业在