发布时间 : 星期四 文章nmos和pmos设计更新完毕开始阅读72d9367a168884868762d6c6
《微电子技术综合实践》设计报告
6 二次氧化 7 CVD 8 二次光刻 生长垫氧化层为淀积Si3N4做准备 淀积Si3N4为场氧的生长提供掩蔽膜 为场氧的生长提供窗口 方块电阻:1500?/? 厚度600? 干氧 温度1000℃ 时间：102min 厚度1000? LPCVD 压强反应剂：90Pa SiH4,NH3 温度825℃ (1)投影式光学曝光 (2)干法刻蚀 湿氧 正胶 9 三次氧化 10 11 12 13 生长场氧，实现器件的隔离 刻蚀 出去Si3N4薄膜及有源区SiO2 四次氧生长栅化 氧，为mos电容提供介质层 二次离调整子注入 pmos的阈值电压 二次CVD 淀积多晶硅，提供多晶硅电极 干法刻蚀 厚度400? 干氧 结深0.2um 杂质层 表面浓度P离子 2.26e6cm-3 厚度4500? LPCVD反温度应剂SiH4 620℃ 生长速率100?/m25
温度1000℃ 时间65min 能量50KeV 《微电子技术综合实践》设计报告
14 三次光刻 光刻多晶硅，形成多晶硅栅极 形成nmos的源漏区 15 三次离子注入 16 四次离子注入 形成PMOS的源漏区 (1)投影式光学曝光 (2)干法刻蚀 结深杂质P离能量0.3-0.5um 子 40KeV 表面浓度剂量1e20cm-3 1e15cm-3 结深杂质P离能量0.3-0.5um 子 40KeV 表面浓度剂量1e20cm-3 8.5e14 Cm-3 in 时间45min 反胶 5. 课程设计总结
两周的课程设计结束了，在这次的课程设计中不仅检验了我所学习的知识，也提高了我处理事情的能力。在设计过程中，与同学分工设计，和同学们相互探讨，相互学习，相互监督。学会了合作，学会了运筹帷幄，学会了宽容，学会了理解，也学会了做人与处世。
课程设计是我们专业课程知识综合应用的实践训练，这是我们迈向社会，从事职业工作前一个必不可少的过程．“千里之行始于足下”，通过这次课程设计，我深深体会到这句千古名言的真正含义．我认真的进行课程设计，脚踏实地迈开这一步，就是为明天能稳健地在社会大潮中奔跑打下坚实的基础．
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通过这次N阱CMOS的设计，觉得自己在多方面都有所提高。通过综合运用本专业所学的理论和生产实际知识进行了一次NMOS 和PMOS的特性曲线设计，在设计和调整的过程中让我知道了理论与实际还是有很大差距的，虽然在优化的过程中遇到了很多困难，但通过考虑实际的一些器件效应进行调整后，得到了较为令人满意的结果，与此同时通过这次的实训培养和提高我独立工作能力，巩固与扩充了器件物理、半导体工艺、ISE软件等课程所学的内容，掌握了器件模拟的方法和步骤，懂得了怎样分析器件的相关特性，怎样确定工艺方案，同时提高了我分析问题解决问题的能力，熟悉了规范和标准的软件操作，同时各科相关的课程都有了全面的复习，独立思考的能力也有了提高。
在这次设计过程中，一开始我们在画MDRAW时结构参数就出现了很大问题，与理想情况下算的有很大差距，经过我们耐心的调整和反复的验证，最后得到了较为满意的结果。DESSIS的程序编写与调整也让我对这个软件有了初步的了解和认识，通过MDRAW和DESSIS的相互配合使用也体现出我们调整器件及优化的能力以及综合运用知识的能力，体会了学以致用、突出自己劳动成果的喜悦心情，从中发现自己平时学习的不足和薄弱环节，从而加以弥补。
在此感谢我们的指导老师，老师严谨细致、一丝不苟的作风一直是我工作、学习中的榜样；老师循循善诱的教导和不拘一格的思路给予我无尽的启迪；这次课程设计的每个实验细节和每个数据，都离不开老师您的细心指导。而您开朗的个性和宽容的态度，帮助我能够很顺利的完成了这次课程
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设计。同时感谢帮助过的同学们和我的同伴，让我真正感受到了同学间的真挚友谊。
6. 参考文献
1. 王蔚，田丽，任明远编著，《集成电路制造技术——原理与
工艺》，电子工业出版社，2010
2. Donald A. Neamen著，赵毅强等译《半导体器件物理》电
子工业出版社
3. 关旭东，《集成电路工艺基础》，北京大学出版社，2005 4. 陈贵灿，邵志标，程军，林长贵编，《CMOS集成电路设计》，
西安:西安交通大学出版社，2000
5. 李乃平主编，《微电子器件工艺》，华中理工大学出版社，
1995
6. 黄汉尧，李乃平编《半导体器件工艺原理》，上海科学技术
出版社，1986
7. 夏海良，张安康等编，《半导体器件制造工艺》，上海科学
技术出版社，1986
8. 张屏英，周佑膜编，《晶体管原理》，上海科学技术出版社，
1985
9. ISE软件使用指南。
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