发布时间 : 星期三 文章广东省肇庆市2019届高三下学期第二次统一检测理科理综化学试卷(含答案)更新完毕开始阅读85accc3f00768e9951e79b89680203d8ce2f6abc
（2）“除铝”过程中Al3+完全沉淀，其它金属阳离子不形成沉淀，根据已知Co2+、Al3+、Zn2+开始沉淀和沉淀完全的pH，“除铝”过程中需要调节溶液pH的范围为5.0~5.4。形成沉渣时加入的是Na2CO3，发生的是Al3+与CO32-的双水解反应，形成沉渣时反应的离子方程式为2Al3++3CO32-+3H2O=2Al(OH)3↓+3CO2↑。
（3）在实验室里，萃取操作用到的玻璃仪器主要有分液漏斗、烧杯；根据萃取反应ZnSO4(水层)+2HX(有机层)
ZnX2(有机层)+H2SO4(水层)可得，由有机层获得ZnSO4溶液，要使平衡逆向移动，所以要向有机层
中加入硫酸，然后分液，所以由有机层获取ZnSO4溶液的操作是：向有机层中加入适量的硫酸溶液充分振荡，静置分离出水层。
（4）“沉钴”时是向CoSO4溶液中加入Na2CO3溶液产生CoCO3沉淀，由于Na2CO3溶液呈碱性，若Na2CO3溶液滴加过快会导致局部碱性过强而产生Co(OH)2沉淀，导致产品CoCO3中混有Co(OH)2。
（5）0.672L(标准状况)CO2的物质的量为0.03mol，根据C元素守恒，n(CoCO3)=n(CO2)=0.03mol；根据Co59g/mol=1.77g，则氧化物中m(O)=2.41g-1.77g=0.64g，所以元素守恒，n(Co)=0.03mol，m(Co)=0.03mol×
n(O)=0.04mol，n(Co)：n(O)=0.03mol：0.04mol=3:4，故该钴氧化物的化学式为Co3O4。
【点睛】本题以含钴废渣为原料制备CoCO3的流程为载体，考查流程的分析、方程式的书写、物质的分离和提纯、盐类的水解和化学式的确定。无机工业流程题往往以真实的工业生产为背景，解决此类题目的关键是对流程的分析，一般可把流程大致分为三部分：原料预处理、除杂、获得产品等，注意一切操作都是为了更好地获得产品。
10.C、N、S的氧化物常会造成一些环境问题，科研工作者正在研究用各种化学方法来消除这些物质对环境的影响。
(1) CO2的重整用CO2和H2为原料可得到CH4燃料。 已知: ①CH4 (g)+CO2(g)=2CO(g)+2H2(g) △H1=+247kJ/mol ②CH4 (g)+H2O(g)=CO(g)+3H2(g) △H2=+205kJ/mol
则CO2重整的热化学方程式为________________________________________________。
(2)“亚硫酸盐法”吸收烟中的SO2，将烟气通入1.0mol/L 的Na2SO3溶液，若此过程中溶液体积不变，则溶液的pH不断 (填“减小”、“不变”或“增大)。当溶液pH约为6时，吸收SO2的能力显著下降，应更换吸收剂，此时溶液中c(SO32-)=0.2mol/L，则溶液中c(HSO3-)=_____________； (3)催化还原法去除NO。一定条件下，用NH3消除NO污染，其反应原理：4NH3+6NO
5N2+6H2O。不同
温度条件下，n(NH3):n(NO)的物质的量之比分别为4:1、3:1、1:3时，得到NO脱除率曲线如图所示。
①随温度升高NO脱除率下降的原因是_______________________________________；
10-4mg·m-3，从A点到B点经过0.8s，该时间段内NO的脱除速率为②曲线a中，NO的起始浓度为6×____________mg·m-3·s-1；
③曲线b对应NH3与NO的物质的量之比是_________。
(4)间接电化学法除NO。其原理如图所示:写出阴极的电极反应式(阴极室溶液呈酸性) _________________；吸收池中除去NO的离子方程式为_____________________________ 。
【答案】 (1). CO2(g)+4H2(g)===CH4(g)+2H2O(g) △H1=-163kJ/mo1 (2). 减小 (3). 1.6mol/L (4). 该10-4 (6). 3:1 (7). 反应正向是放热反应，升高温度有利于向吸热的逆方向移动 (5). 1.5×2HSO3-+2e-+2H+=S2O42-+2H2O (8). 2NO+2S2O42-+2H2O=N2+4HSO3-
【详解】（1）由已知:①CH4 (g)+CO2(g)=2CO(g)+2H2(g) △H1=+247k/mol，②CH4(g)+H2O(g)=CO(g)+3H2(g) △H2=+205k/mol，根据盖斯定律，①-②△H=△H1-2△H2=-163kJ/mo1。
（2）“亚硫酸盐法”吸收烟气中的SO2，将烟气通入1.0mol/L的Na2SO3溶液，亚硫酸与亚硫酸钠和水反应生成亚硫酸氢钠，溶液pH不断减小；向亚硫酸钠溶液中通入二氧化硫生成亚硫酸氢钠，反应方程式SO2+ Na2SO3+2H2O= 2NaHSO3，溶液中反应的亚硫酸根离子和生成亚硫酸氢根离子的物质的量比为1：2，由已知c(SO32-)=0.2mol/L，则溶液中参加反应的亚硫酸根为(1.0-0.2)mol/L，则生成的亚硫酸氢根为c(HSO3-)=2×(1.0-0.2)mol/L=1.6 mol/L；
（3）①N2和H2O相对稳定，能量较低，NH3和NO能量高，所以反应4NH3+6NO反应，升高温度有利于向吸热的逆方向移动，故随温度升高NO脱除率下降。
10-4mg·m-3，A点的脱除率为0.55，B点的脱除率0.75，从A点到B点经②曲线a中，NO的起始浓度为6×
2得CO2重整的热化学方程式为：CO2(g)+4H2(g)=CH4(g)+2H2O(g)
5N2+6H2O正向是放热
10-4mg·m-3×(0.75-0.55)÷0.8s=1.5×10-4mg·m-3·s-1。 过0.8s，该时间段内NO的脱除速率为6×
③NH3与NO的物质的量的比值越大，NO的脱除率越大，故其物质的量之比分别为4:1、3:1、1:3时，对应的曲线为a、b、c，故曲线b对应的物质的量之比是3:1。
（4）阴极是HSO3-在酸性条件下发生还原反应，生成S2O42-，其电极反应式为2HSO3-+2e-+2H+=S2O42-+2H2O；根据图示，吸收池中S2O42-和NO是反应物，N2和HSO3-是生成物，则吸收池中除去NO的离子方程式为：2NO+2S2O42-+2H2O=N2+4HSO3-。
11.由P、S、Cl、Ni等元素组成的新型材料有着广泛的用途，回答下列问题。
(1)基态Cl原子核外电子排布式为__________________________，P、S、Cl的第一电离能由大到小顺序为____________________。
(2)SCl2分子中的中心原子杂化轨道类型是_____________，该分子构型为__________。
(3)Ni与CO能形成配合物Ni(CO)4，该分子中配位键个数为_______；以“—”表示σ键、“→”表示配位键，该分子空间结构示意图可以画为__________。
(4)已知MgO与NiO的晶体结构(如图)相同， 其中Mg2+和Ni2+的离子半径分别为66 pm和69pm。则熔点：MgO_____NiO(填“＞”、“＜”或“＝”)，理由是____________________________。
(5)若NiO晶胞中离子坐标参数A为(0，0，0)，B为(1，1，0)，则C离子坐标参数为_______。
(6)一定温度下，NiO晶体可以自发地分散并形成“单分子层”，可以认为O2－作密置单层排列，Ni2+ 填充其中，已知O2－的半径为a m，每平方米面积上分散的该晶体的质量为______g。(用a、NA表示)
【答案】 (1). 1s22s22p63s23p5 (2). Cl> P > S (3). sp3 (4). V形 (5). 8 (6).
(7). > (8). Mg2+半径比Ni2+小，MgO的晶格能比NiO大 (9). (1，1/2，1/2) (10).
【详解】（1）Cl原子序数为17，基态Cl原子核外电子排布式为1s22s22p63s23p5；同周期元素从左到右第一电离能有增大的趋势，P元素原子3p能级处于半充满状态，第一电离能高于同周期相邻元素，故P、S、Cl的第一电离能由大到小顺序为：Cl>P>S。
（2）SCl2分子中S原子杂化轨道数为：×（6+2）=4，采取sp3杂化方式，有两对孤电子对，该分子构型为V形。
（3）CO中有1个配位键，Ni与CO形成配合物Ni(CO)4，Ni和CO之间存在配位键，所以Ni(CO)4中配位
1×4+4=8；“→”表示配位键，键个数为：以“—”表示σ键、该分子空间结构示意图可以画为 。
（4）晶体结构相同时，离子半径越小离子键强度越大，Mg2+比Ni2+半径小，MgO的晶格能比NiO大，所以熔点MgO>NiO。
（5）NiO晶胞中离子坐标参数A为(0，0，0)，B为(1，1，0)，则晶胞是边长为1的正方体，C在右侧面心处，根据立体几何知识，则C离子坐标参数为（1，，）。
（6）如图：，单分子层重复单元呈平行四边形，是相邻四个O2-球中心
的连线，每个重复单元包含1个O2-和1个Ni2+，作三角形abc，已知O2-的半径为a m，则高ad=a m，三2a×a m2，重复单元所占的平行四边形面积为：2a×a m2，即2角形abc的面积=×
a2m2，NiO相对分子
2a2÷NA=质量为75，每平方米面积上分散的该晶体的质量为75÷。
【点睛】本题考查物质结构知识，包括电子排布式的书写，第一电离能大小的比较，杂化轨道、空间构型判断，晶格能的知识，原子坐标的书写，晶胞的计算等，考查知识比较全面，注意：①同周期元素随着原子序数增大第一电离能呈现增大的趋势，但第VA族出现反常，其第一电离能高于同周期相邻元素；②晶胞有关计算，先取出平面NiO的基本结构单元，计算基本结构单元的面积，最后计算每平方米面积上分散的该晶体的质量，为本题的难点。
12.光刻胶是一种应用广泛的光敏材料，其合成路线如下(部分试剂和产物略去)：