发布时间 : 星期三 文章模拟电子技术综合复习题（有答案）更新完毕开始阅读85eb55c0cc22bcd126ff0c55
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一、 选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 5、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 6、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 C 。 UUTUUTIeI(e－1)SS A. Ie B. C. US D. IS 9、稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 12、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 13、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。 A.IB B.IC C.UBE D.UCE 16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] ② 0V
① 6V ③ 5.7V 图1
图2
① 3V ② 9V
③ 2.3V
A.NPN硅管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.PNP锗管 17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。 1
A.只能为正 B.只能为负 C.可正可负 D.可正可负，也可为零 18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。 A.可变电阻（欧姆）区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 19、表征场效应管放大能力的重要参数是 B 。 A.夹断电压UGS(off) B.低频跨导gm C.饱和漏极电流IDSS D.开启电压UGS(th) 20、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 21、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 22、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源EC 23、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出UCE≈0，可能是因为 A 。 A.Rb短路 B.Rb开路 C.Rc短路 D.β过小 24、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位 A 。 A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小Rb失真消除，这种失真一定是 B 失真。 A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 26、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，IB=20μA，IC=1mA。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别是 A 。 A. 10μA，1mA B. 20μA，2mA C. 30μA，3mA D. 40μA，4mA 27、有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的 B 。 A.输入电阻大 B.输入电阻小 C.输出电阻大 D.输出电阻小 28、放大电路产生零点漂移的主要原因是 A 。 A.环境温度变化引起参数变化 B.放大倍数太大 C.采用了直接耦合方式 D.外界存在干扰源 29、要求组成的多级放大电路体积最小，应选 B 耦合方式。 A.阻容 B.直接 C.变压器 D.阻容或变压器 30、放大电路的三种组态（ C ）。 A. 都有电压放大作用 B. 都有电流放大作用 C. 都有功率放大作用 D. 都不是 一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为30dB和40dB，则放大器的总增益为（ C ）。 A. 30dB B. 40dB C. 70dB D. 1200dB 31. 多级放大器与单级放大器相比，电压增益将（ A ）。 A. 提高 B. 降低 C. 不变 D. 不确定 2
二、 填空 1、PN结中扩散电流的方向是： 从P区到N区 ，漂移电流的方向是 从N区到P区 。 2、PN结的最大特点是 单向导电性 。 3、使PN结正偏的方法是：将P区接 高 电位，N区接 低 电位。 4、PN结正偏时，有利于 多数 载流子的运动，阻碍 少数 载流子的运行。 5、PN结反偏时，内电场与外电场的方向 相同 ，空间电荷区变 宽 ，有利于 少数 载流子的漂移运动，阻碍 多数 载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻 大 ，PN结处于 截止 状态。 6、温度增加PN结呈现的电阻将会变 小 。 7、P型半导体中的多数载流子是 空穴 ，N型半导体中的多数载流子是 电子 。 以上为第一章习题 8、从基极输入，从集电极输出的是共 射 极电路，从基极输入，从发射极输出的是共 集电 极电路。 9、从栅极输入，从漏输出的是共 源 极电路；从栅极输入，从源极输出的是共 漏极电路。 10、共 集电极 放大电路的电压放大倍数不可能大于1，共 基极 放大电路的电流放大倍数不可能大于1 11、某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB、第二级30dB、第三级－15dB、第四级60dB，放大器的总增益为 100 ，总的放大倍数为 10 。 12、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的 0.707 时，所对应的两个频率分别称为 上限频率 和 下限频率 ，它们之间的频率范围，称为放大电路的 通频带 ，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。 13、多级电压放大器级间耦合方式有 直接 耦合、 变压器 耦合和 阻容 耦合三种。 三、 判断题 1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。（ √ ） 2、PN结正向电流的大小由温度决定的。（ × ） 3、PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。（ × ） 4、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ √ ） 5、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ × ） 6、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ √ ） 7、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ × ） 8、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ √ ） 9、若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ × ） 以上为第一章习题 10、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ × ） 11、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ √ ） 12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ × ） 13、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ × ） 14、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ √ ） 15、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ × ） 16、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ × ） 17、某两级放大器中各级电压增益为：第一级2dB、第二级3dB，放大器的总增益为6 dB。（ × ） 四、 分析题 1、已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。试求左图所示电路中电阻R的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流 3
IZM＝PZM/UZ＝25mA 电阻R的电流为IZM～IZmin，所以其取值范围为 R? UI?UZ?0.36～1.8k?IZ 能否等于6V？ 解：稳压管正常稳压时，工作电流IDZ应满足IZ＜IDZ＜IZM，而 2、下图示电路中，已知输入R1=1kΩ，RL=3kΩ，UI=12V，UZ=6V，IZ=5mA，PZM=90mW，问输出电压UOIZM?PZM90mW??15mA UZ6V即 5mA＜IDZ＜15mA 设电路中DZ能正常稳压，则UO=UZ=6V。可求得： IDZ?IR?IL?UI?UZUZ??4mA RRL显然，IDZ不在稳压工作电流范围内。 以上为第一章习题 3、测得工作在放大电路中三极管1、2、3脚的电位分别是3.5V，2.8V，7.8V。试判断它是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管，并在图上分别标出e、b、c。 4、管子对地电位如图所示。判断管子的工作状态和材料。 +0.1V ＋6V
-2V +1V -3V -2V +5.3V +6V
+4V ＋4V
-0.2V
+0.3V (B)
0V +5.5V (D)
+4V
(A) (C) (E)
解： （A）NPN型管。UBE=0.1-(-0.2)=0.3V，JE正偏， UBC＝0.1-6＝-5.9V，JC反偏。 故该管工作在放大状态，为锗管。 （B）PNP型管。UEB=1-0.3=0.7V，JE正偏， UCB＝-2-0.3＝-2.3V，JC反偏。 故该管工作在放大状态，为硅管。 （C）NPN型管。UBE= -3-(-2)=-1V，JE反偏， UBC＝-3-0＝-3V，JC反偏。 4