发布时间 : 星期一 文章最新单片机试题库分章节答案解析(C语言)更新完毕开始阅读883bc750dc3383c4bb4cf7ec4afe04a1b171b006
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A. 变短 B. 变长 C. 不变 D. 不定 5、单片机的应用程序一般存放于（ B ）中 A、RAM B、ROM C、寄存器 D、CPU
6．89S51单片机的PSW寄存器中的RS1和RS0用来（ A ）。 A．选择工作寄存器组 B. 指示复位 C．选择定时器 D. 选择工作方式 7．80C51基本型单片机内部程序存储器容量为（ C ）。 A.16K
B.8K
C.4K
D.2K
8． AT89S51单片机的P0□，当使用外部存储器时它是一个（ A ）。 A. 传输低8位地址／数据总线□ B. 传输低8位地址□ C. 传输高8位地址／数据总线□ D. 传输高8位地址□ 9．在AT8951单片机的4个并口中，需要外接上拉电阻的是（ A ）。 A . P0口 B . P1口 C . P2口 D . P3口
10．在CPU内部，反映程序运行状态或反映运算结果的特征寄存器是（ C ）。 A. PC B. A C. PSW D. SP 11．51单片机的XTAL1和XTAL2引脚是（ D ）引脚 A. 外接定时器 B. 外接串行口 C. 外接中断 D. 外接晶振
12. 计算机在使用中断方式与外界交换信息时，保护现场的工作应该是（ B ）。
A.由CPU自动完成 B.由中断服务子程序完成 C.在中断响应中完成 D.在主程序中完成
13. MCS-51系列单片机是属于（ C ）体系结构。 A、冯诺依曼 B、普林斯顿 C、哈佛 D、图灵
14. MCS-51系列的单片机中片内RAM的字节大小可能的是（ C ） A
、
128M B
、
128K C
、
128 D、64
15. 可以将P1口的低4位全部置高电平的表达式是（ B ）
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A、P1&=0x0f B、P1|=0x0f C、
P1^=0x0f D、P1=~P1
16. 51单片机若晶振为6MHZ，定时/计数器一次最大的定时时间是 C 。 A.约60ms B.约100ms C.约130ms D.约160ms
17.单片机复位后P0口和SP的值分别为 C 。 A.00H,00H B.00H，13H C.0FFH，07H D.FFH，07H
18.AT89S51单片机的工作寄存器区的地址范围是 ，可分为 组。（ A ）
A. 00H～1FH，4 B. 00H～1FH，2 C. 00H～0FH，4 D. 00H～0FH，2
19. 访问外部数据存储器时，不起作用的信号是（ C ）。 A.RD B.WR C.PSEN D.ALE
20. 若MCS-51单片机使用晶振频率为6MHz时，其复位持续时间应该超过( B )。
A、2μs B、4μs C、8μs D、1ms
21.程序状态字寄存器PSW中的AC=1，表示（ D ）。
A. 计算结果有进位 B. 计算结果有溢出 C. 累加器A中的数据有奇数个1 D. 计算结果低4位向高位进位 22.AT89S51单片机的4个I/O口中，下列哪个I/O口内部不带上拉电阻，在应用时要求外加上拉电阻的是（ A ）。
A.P0 B.P1口 C.P2口 D.P3口 23.假设51单片机的晶振为8MHz，则其对应的机器周期为（ C ）。 A.0.5us B.1us C.1.5us D.2us
24.WDT是看门狗定时器，它包含一个 B 位计数器和定时复位寄存器WDTRST.（ ）
A.13 B.14 C.15 D.16
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25. MCS-5l单片机的堆栈区是设置在( C )中。
A、片内ROM区 B、片外ROM区 C、片内RAM区 D、片外RAM区 26、AT89S51单片机采用的内部程序存储器的类型是（ B ）。 A. EPROM B. Flash C. SFR D.掩膜ROM
27、单片机复位后，SP、PC、I/O口（P0、P1、P2、P3）的内容为（ C ） A. SP = 00H PC = 1000H I/O口= FFH B. SP = 00H PC = 0000H I/O口= 00H
C. SP = 07H PC = 0000H I/O口= FFH D. SP = 07H PC = 0000H I/O口= 00H
28、 P0、P1口作输入用途之前必须（ A ）
A. 相应端口先置1 B. 相应端口先置0 C. 外接高电平 D. 外接上拉电阻
29、MCS—51单片机的CPU主要的组成部分为（ A ）。 A、运算器、控制器 B、加法器、寄存器 C、运算器、加法器 D、运算器、译码器 30、单片机8031的ALE引脚是（ B ）。
A、输出高电平 B、输出矩形脉冲，频率为fosc的1/6 C、输出低电平 D、输出矩形脉冲，频率为fosc的1/2 31、MCS-51单片机的复位信号是( A )有效。
A. 高电平 B. 低电平 C. 上升沿 D. 下降沿
31、在访问片外扩展存储器时，低8位地址和数据由（ ）口分时传送，高8位地址由（ ）口传送。（ C ）
A. P0 P1 B. P1 P0 C. P0 P2 D. P2 P0
四、简答题
1、 请说明为什么使用LED需要接限流电阻，当高电平为+5V时，正常点亮一个LED需要多大阻值的限流电阻（设LED的正常工作电流为10mA，导通压降为0.6V），为什么？
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2、 MCS-51单片机的存储器从物理结构上可划分几个空间？
3、 MCS-51单片机的P0~P3四个I/O端口在结构上有何异同？使用时应注意的事项？
五、编程题
1、用AT89S51单片机的P2口控制8个LED（共阳接法）依次右移1位点亮（亮200ms）。即P2.7亮→P2.6亮→……→P2.1→P2.0亮，重复循环。
#include
void main() { int i;
char table[]={0x7f,0xbf,0xdf,0xef,0xf7,0xfb,0xfd,0xfe}; }
2、利用AT89C51的P1口控制8个发光二极管LED。相邻的4个LED为一组，使2组每隔0.5S 交替发亮一次，周尔复始。画出电路图（含最小系统及与外设的连接图）并编写程序。
while(1)
{ for(i=0;i<8;i++) }
{P2=tabel[i]; }
delay(200);
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