发布时间 : 星期五 文章TSMC工艺的 - 版图教程更新完毕开始阅读9d5c5070fad6195f302ba613
基于 0.18μm CMOS工艺全定制反相器设计
前端电路设计与仿真 ....................................................................................................................... 2
第一节双反相器的前端设计流程 ........................................................................................... 2
1、画双反相器的visio原理图 ....................................................................................... 2 2、编写.sp文件 ............................................................................................................... 2 第二节后端电路设计 ............................................................................................................... 5
一、开启linux系统 ......................................................................................................... 5 2、然后桌面右键重新打开Terminal .............................................................................. 6
双反相器的后端设计流程 ............................................................................................................... 7
一、schematic电路图绘制 ............................................................................................. 7 二、版图设计 ................................................................................................................. 21 画版图一些技巧： ......................................................................................................... 30 三、后端验证和提取 ..................................................................................................... 31 第三节后端仿真 ..................................................................................................................... 37
其它知识 ......................................................................................................................... 40
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前端电路设计与仿真
第一节双反相器的前端设计流程
1、画双反相器的visio原理图
VDDM0infaM1VDDM2outM3
图1.1
其中双反相器的输入为in 输出为out，fa为内部节点。电源电压VDD=1.8V，MOS管用的是TSMC的1.8V典型MOS管(在Hspice里面的名称为pch和nch，在Cadence里面的名称为pmos2v和nmos2v)。
2、编写.sp文件
新建dualinv.txt文件然后将后缀名改为dualinv.sp文件 具体实例.sp文件内容如下：
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.lib 'F:\\Program Files\\synopsys\\rf018.l' TT 是TSMC用于仿真的模型文件位置和选择的具体工艺角*****这里选择TT工艺角***********
划红线部分的数据请参考excel文件《尺寸对应6参数》，MOS管的W不同对应的6个尺寸是不同的， 但是这六个尺寸不随着L的变化而变化。 划紫色线条处的端口名称和顺序一定要一致
MOS场效应晶体管描述语句：(与后端提取pex输出的网表格式相同)
MMX D G S B MNAME
2.1、在windowXP开始--程序这里打开Hspice程序
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2.2、弹出以下画面然后进行仿真
存放.sp文件的地址1、打开.sp文件2、按下仿真按钮3、查看波形
查看波形按钮按下后弹出以下对话框
单击此处
如果要查看内部节点的波形，双击Top处
如果有多个子电路请单击此处的Top查看单击这些节点即可查看波形
如果要查看测量语句的输出结果请查看 .MTO文件(用记事本打开)
至此前端仿真教程结束
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