发布时间 : 星期三 文章电力电子技术试题及答案.doc更新完毕开始阅读a03a91368ad63186bceb19e8b8f67c1cfbd6eea2
电力电子技术答案
2-1 与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答： 1. 电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2. 电力二极管在 P 区和 N区之间多了一层低掺杂 N 区，也称漂移区。低掺杂 N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导
体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2.
使晶闸管导通的条件是什么？
。或： uAK>0且 uGK>0。 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，
利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降
到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4 图 2-27 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 I m，试计算各波形的电流平均值
I d2 、I d3 与电流有效值 I 1、I 2、I 3。
可
I d1 、
0 4
a)
2
0
4
b)
图1-43 I m 2
5 4
2
0
2
c)
2
图 2-27 晶闸管导电波形
I m
解： a)
I d1 =
1
I m sin td ( t) =
I 1=
(
1 )
=
2π 4
2π 2
( I m sin t) 2 d ( t)
4
I m
1 2
I m 2
I m
3 1 4 2
b)
I d2 =
m
c)
I d3 = 1 I m sin td ( t ) = I m ( 2 1 ) π 4 π 2
I 2 =
1 ( I m sin t) 2 d ( t) = 2 I m 3 4 2 4
I m
I 3 =
1
2
12 2π 0
I md ( t ) =
1 4
1 2
22 m I
d ( t ) =
1 I m
0
2
2-5 上题中如果不考虑安全裕量
I m2、I m3 各为多少 ?
, 问 100A 的晶阐管能送出的平均电流 I d1、 I d2 、 I d3 各为多少 ?这时，相应的电流最大值 I m1、
解：额定电流 I T(AV) =100A的晶闸管，允许的电流有效值
I
a)
I=157A, 由上题计算结果知
，
b)
0.4767 I 0.6741
,
c)
I m3=2 I = 314,
I d3 =I m3= 1 4
2-6 GTO 和普通晶闸管同为 PNPN结构 , 为什么 GTO能够自关断 , 而普通晶闸管不能 ?
答： GTO和普通晶阐管同为 PNPN结构，由 P1N1P2和 N1P2N2构成两个晶体管 V1、V2，分别具有共基极电流增益和，由普通晶阐管 的分析可得，是器件临界导通的条件。
两个等效晶体管过饱和而导通；不能维持饱和导通而关断。
GTO之所以能够自行关断，
V2 控 而普通晶闸管不能，是因为 GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同： 制灵敏，易于 GTO关断；
2)GTO
l)GTO在设计时较大，这样晶体管 导通时的更接近于 l ，普通晶闸管，而 GTO则为， GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和， 3)多元集成结构使每个 GTO元阴极面积很小， 门极和阴极间的距离大为缩短， 使得 这样为门极控制关断提供了有利条件；
P2 极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
2-7 与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得它具有耐受高电压电流的能力？
答1. 电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.P 区和 N 区之间多了一层低掺杂
N区，也称漂移区。低掺杂 N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体， 由于掺杂浓度低，低掺杂
N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
.
2-8 试分析 IGBT 和电力 MOSFET在内部结构和开关特性上的相似与不同之处
IGBT 比电力 MOSFET在背面多一个
P 型层， IGBT 开关速度小，开关损耗少具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入
阻抗高，为电压驱动，驱动功率小。开关速度低于电力
MOSFET。电力 MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好。所需驱动
功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题。
动器。 IGBT 驱动电路的特点是 : 驱动电路具有较小的输出电阻，Ⅰ GBT是电压驱动型器件， IGBT 的驱动多采用专用的混合集成驱 电力 MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。
2-11 目前常用的全控型电力电子器件有哪些？ 答：门极可关断晶闸管 , 电力晶闸管，电力场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管。
3-1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电， L＝ 20mH，U2＝100V，求当α＝ 0 和 60 时的负载电流 I d，并画出 ud 与 i d 波形。 解：α＝ 0 时，在电源电压 u2 的正半周期晶闸管导通时，负载电感 L 储能，在晶闸管开始导通时刻，负载电流为零。在电源电 压 u2 的负半周期，负载电感 L 释放能量，晶闸管继续导通。因此，在电源电压 u2 的一个周期里，以下方程均成立：
L
d id d t
2U 2 sin t
考虑到初始条件：当
t ＝0 时 i d＝0 可解方程得：d i2U2L
(1 cos t )
2
I d
1
2U 2 (1 cos t) d( t) = L
u 2
2
0
ud 与 i d 的波形如下图：
2U 2
L =(A)
u
0 d
2 t
2
t
0 i d
0
2 t
~300 期间
当α＝ 60°时，在 u2 正半周期 60 ~180 期间晶闸管导通使电感 L 储能，电感 L 储藏的能量在 u2 负半周期 180 释放，因此在 u2 一个周期中 60 ~300 期间以下微分方程成立：
L
d id d t
2U 2 sin t
考虑初始条件：当
t ＝ 60 时 i d ＝0 可解方程得： id
5 3 3
2U 2 ( cos t )
L 2
1
其平均值为 I d
1 2
此时 ud 与 i d 的波形如下图： 2U2 (1 cos t )d( t ) = 2U 2 =(A) L 2 2 L
t
i d
t
0 u d
+
+
t
u 2
+
+
3-2 ．图 3-10 为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明：①晶闸管承受的 最大反向电压为 2
2U 2 ；②当负载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。
答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化的问题。
因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平
均电流为零，故不会有直流磁化的问题。
以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。
① 以晶闸管 VT2 为例。当 VT1 导通时，晶闸管 VT2 通过 VT1 与 2 个变压器二次绕组并联， 所以 VT2 承受的最大电压为
2
2U 2 。
② 当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角 相同时，对于电阻负载： （ 0~α）期间无晶闸管导通，输出
电压为 0；（α ~π）期间，单相全波电路中 VT1 导通，单相全控桥电路中 VT1、VT4 导通，输出电压均与电源电压 u2 相等； ( π~π＋ α) 期间，均无晶闸管导通，输出电压为 0；( π＋α ~ 2 π) 期间，单相全波电路中 VT2 导通，单相全控桥电路中 VT2 、VT3 导通， 输出电压等于 u2。
对于电感负载：（α ~ π＋α）期间，单相全波电路中 VT1 导通，单相全控桥电路中 VT1、VT4 导通，输出电压均与电源电压
u2 相等；（π＋α ~ 2 π＋α）期间，单相全波电路中 VT2 导通，单相全控桥电路中 VT2、VT3 导通，输出波形等于 u2。
值 极 大 ， 当 α ＝ 30 ° 时 ， 要 求 ：
可见，两者的输出电压相同，加到同样的负载上时，则输出电流也相同。
R ＝ 2 Ω ， L 3-3 ． 单 相 桥 式 全 控 整 流 电 路 ， U2 ＝ 100V ， 负 载 中
① 作 出 ud、i d 、和 i 2 的波形；
②求整流输出平均电压 Ud、电流 I d，变压器二次电流有效值 I 2；
③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
解：① ud、i d、和 i 2 的波形如下图：
u 2
O u d
t
O
t
I d
t
I d
t
i d
O i 2 O
②输出平均电压 Ud、电流 I d，变压器二次电流有效值
U
I 2 分别为
d
＝
U cos α＝× 100×cos30 °＝（ V）
2
I d＝ Ud / R＝2＝（ A） I 2＝I d ＝（ A）
③晶闸管承受的最大反向电压为：
考虑安全裕量，晶闸管的额定电压为：
2 U＝ 100 2 ＝（ V）
2
UN＝（ 2~3）×＝ 283~424（ V）
具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
流过晶闸管的电流有效值为： I VT ＝I d∕
2 ＝（ A）