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FLASH存储器[浏览次数：约822次]
? FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦
除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的就是这种存储器
。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用
ROM(EPROM)作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。
目录
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Flash 存储器的简介
Flash 存储器的擦除
FLASH存储器的测试方法研究
Flash 存储器的简介
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在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数
据的存储。它在整个存储器中所处的位置在最起始的位置，一般其起始地址从0 开始，如图1 所示。
图1 存储器系统示意图
Flash 是由一组可独立擦除的1KB 区块所构成的，对一个区块进行擦除将使该区块的全部内容复位为1。
下面这幅图是 Flash 存储器的简单示意图，此图形象的体现了Flash 存储器是由1KB 区块构成，而且每个区块的基地址都固定的，其基地址如图2 所示。
图 2 Flash 存储器示意图 Flash 存储器的操作
对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。
Flash 存储器的编程写入的地址必须以字（4 个字节）为单位对齐，且指明要写入的具体地址。也就是说可以是任意地址，但必须满足写入的地址是字对齐的。
Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据，但必须满足读取的地址是字对齐的，否则，读出的数据绝对不正确，结果也难以预料。
Flash 存储器的擦除
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Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦
除，或者全部擦除。也就是说以区块是flash 擦除的最小单位。 ●执行 1-KB 页的擦除 执行 1KB 页的擦除步骤如下： (1) 将页地址写入FMA 寄存器
(2) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将ERASE 位置位（写入0xA4420002）。
(3) 查询FMC 寄存器直至ERASE 位被清零。 如图1所示：
图1 执行1KB 页的擦除步骤示意图 实例程序如程序清单 1 所示：
程序清单 1
●执行 Flash 的完全擦除 执行完全擦除的步骤如下：
(1) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将MERASE 位置位（写入0xA4420004）。
(2) 查询FMC 寄存器直至MERASE 位被清零。 如图2所示：
图2 执行完全擦除的步骤示意图 实例程序如程序清单 2 所示：
FLASH存储器的测试方法研究
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1．引言