LaF3Eu3红色荧光粉的水热合成和荧光性能 - 图文 联系客服

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aABCλem=591nmintensity(a.u)A:pH=5B:pH=6C:pH=7D:pH=8E:pH=9CD250300350400450500550

wavelength(nm)图6 pH对LaF3:Eu3+微粒的发光性能的影响(激发光谱)

bABCA:pH=5B:pH=6C:pH=7D:pH=8E:pH=9intensity(a.u)Dλex=396nm E450500wavelength(nm)550600650700

图7 pH对LaF3:Eu3+微粒的发光性能的影响(发射光谱)

图7表明,用396nm波长的光照射样品时,样品均能得到能级跃迁导致的

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荧光发射,当pH=5时,样品具有最大的荧光强度,并且随着pH值的不断增大,样品的荧光强度逐渐减小,当pH=9时,即制备环境处于碱性状态,样品的荧光强度最小。同样,在发射光谱中,样品在pH=5时具有最强的荧光发射强度,随着pH值的增大,样品的荧光发射强度也逐渐减小,在pH=9时达到最小值。 分别取样品的最发发射强度以及最大激发强度做散点图,如图6。结果表明:样品在不同pH下荧光强度不同是因为Eu3+占据了LaF3的C2对称性格位,使得在酸性条件下制的样品在595nm处的偶极矩跃迁强于620nm处的电极跃迁。随着前驱物pH值的增大,电偶极和磁偶极跃迁能力比较弱,制备的样品尺寸减小,比表面积增大,空心结构明显,表面缺陷多,Eu3+局域环境混乱程度增大,导致离子局域环境对称性降低,j-0参数增大,跃迁几率增加,电偶极跃迁能力相对磁偶极跃迁能力增强。相对的,当样品微粒的尺寸降低是,其比表面积相对增大,表面吸附-0H基团增加,引起荧光猝灭。[7]

3.5.3 掺杂Eu3+量对LaF3:Eu3+微粒的发光性能的影响

图8为掺杂不同摩尔浓度Eu3+的激发光谱(λem= 591 nm),而图9为掺杂不同摩尔浓度Eu3+的发射光谱(λex= 396 nm)。显然, 不同的Eu3+掺杂量对样品的荧光性能有很大的影响。由图8中的激发光谱可知,在398 nm处具有最强的能级跃迁;在589nm处也有最强的发射光谱。在不同Eu3+的掺杂量中,掺杂9%Eu3+时的样品的荧光强度最大,当掺杂量低于9%时,随着掺杂量增多,荧光强度也逐渐增强,当掺杂量大于9 %时,随着掺杂量的加大,荧光强度反而减小,由此可见,在掺杂Eu3+= 9 %时,样品具有最大的荧光强度。造成这种现象的原因是:Eu3+是以取代基体材料LaF3中La3+的晶格位置从而形成纳米微粒,这种取代并未改变LaF3:Eu晶格形态,这是由于具有较高掺杂量时的纳米微粒,其Eu3+离子之间的能量传递加速了通过表面的能量猝灭,即浓度猝灭效应导致交叉弛豫作用增强,使得荧光强度减弱。[8] Eu3+_的掺杂量为9%时,LaF3:Eu3+纳米晶体在591nm处主要表现处为橙红色的荧光发射,具有非常实际的使用价值。

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ABCDintensity(a.u)A:Eu=9%3+B:Eu=7%3+C:Eu=12%3+D:Eu=5%3+E:Eu=3%3+λem=591nmE250300wavelength(nm) 350400450500550

图8掺杂不同Eu3+量时LaF3:Eu3+的激发光谱

ABCDA:Eu=9%3+B:Eu=7%3+C:Eu=12%3+D:Eu=5%3+E:Eu=3%3+intensity(a.u)λex=396nmE 450500550600650700Wwavelength(nm)

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图9掺杂不同Eu3+量时LaF3:Eu3+的激发光谱

3.5.3表面活性剂用量对LaF3:Eu3+荧光性能的影响

由于CTAB的临界胶束浓度为9.2x10-4mol/l,相比其他表面活性剂,CTAB更容易为LaF3纳米微粒的形成提供有效的分散作用[9]。因此,加入CTAB可以再纳米微粒形成时修饰其晶面,并其分散LaF3微粒,防止团聚有非常大的作用,以下为探讨加入不同量的CTAB做分散剂,对形成的LaF3:Eu3+纳米微粒的荧光性能的影响。

图10为CTAB的不同用量的激发光谱,图11为CTAB的不同用量时样品的发射光谱,由图谱可见,在激发光源为λem=591nm时候,有最大的荧光激发处396nm;样品的发射光谱也在λ=591处有最大发射强度。由荧光谱图可见,当CTAB的用量为0g时候,对应的样品有最大的激发强度以及发射强度。加入CTAB时,样品荧光强度急剧下降,增加CTAB用量时,随着CTAB用量的增加,荧光强度继续减弱,当CTAB用量为0.25g时,样品的激发光谱及发射光谱的强度最小,因此采用本文制备的方法时候加入CTAB的用量减弱了样品的荧光强度。造成这种现象的原因是CTAB的加入对样品晶面的生成起到了修饰作用,并对样品的生成有分散及稳定的效果,平整的晶面有利于晶核的不断生长,使样品的晶体表面积加大,从而使晶粒比表面积增大,荧光性能降低。

A:CTAB=0gB:CTAB=0.1gC:CTAB=0.15gD:CTAB=0.2gE:CTAB=0.25gAintensity(a.u)BCDEλem=591nm 250300350wavelength(nm)400450500550

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