模拟电子技术教程 第3章习题答案 联系客服

发布时间 : 星期一 文章模拟电子技术教程 第3章习题答案更新完毕开始阅读b748a7d484254b35eefd3449

UCEQ?VCC?ICQReICQ?3mAIBQ?IBQ??ICQ?30?A

VCC-0.7Rb?(1??)ReRb?177k?(2)

'rbe?rbb?(1?β)

习题8 微变等效电路

26mV?1.2kΩICQ

Au?(1?β) ( Re//RL)?1rbe?(1?β ) (Re//RL)Rb?rbe?939Ω1??Ri?Rb/[/rbe?(1?β)(Re//RL)]?101k?Ro?Re//

(3)UOPP?2Uom?2ICQ(Re//RL)?6V

9. 如图3-35所示射级跟随器电路。设图中所有电容对交流短路,β=100,rbe=2kΩ。当电路满足Rb3>>rbe的条件时,写出电容C断开和接-VCC(-20V)Rb1上两种情况下放大电路输入阻抗Ri的数学表达式,

20k对两种结果进行比较分析,说明电容C的作用。 C1 T +Rb3CC2 100kui+ Rb2Reu__o10k1k

图3-35 习题9电路图 解:C断开时:

Ri?[Rb3?Rb1//Rb2]//[rbe?(1?β)Re]?50kΩ

C接入:

Ri?rbe//Rb3?(1?β)(Re//Rb1//Rb2)?100k?

此电路为自举式射级输出器。电容C的接入增大了输入电阻。

一般当满足Rb3>>rbe,Rb1//Rb2>>Re时,Ri?(1?β)Re?100k?,使输入电阻基本不

9

受偏置电阻的影响。

10. 共基极电路如图3-36所示,已知rbb′=300Ω,UBE=0.7V,其它参数如图3-36所示。 (1) 求Q值。

(2)画出微变等效电路,计算Aus、Ri及Ro。 解:(1)

us+_Rb210kRs1kTCbβ=50CcRLRc50k3k5.1kUBQRb2?VCC?2VRb1?Rb2UBQ?0.7Rs?1.3mA

Rb1+12V 图3-36 习题10 电路图 ICQ?IEQ?UCEQ?VCC?ICQ(RC?Rs)?6.8V(2)

'rbe?rbb?(1?β)26mV?1.3kΩICQAus?uoβ(Rc//RL)??2 usrbe?(1?β)Rs

习题10 微变等效电路

rbe?1k?1??Ro?Rc?3kΩRi?Re?

11 .在图3-37所示的放大电路中,已知VDD=15V,管子参数IDSS=4mA,UGS(off)=-6V。设所有电容在交流通路中可视为短路。

(1)希望静态偏置IDQ=1mA,试求: UGSQ 、R s 及gm (2)画出微变等效电路,计算当R d=9kΩ时的电压增益Au 解:

C1Rd+VDDC2+TIDQ?IDSS(1-UGSQ=-3V UGSQ=-IDQRS RS=3K

UGSQUGS(OFF))2

+ui_RgRsuoC3_ 图3-37 习题11电路图 gm?

2UGSOFFIDSSIDQ?0.67mS

10

AU?

uo?-gmRd??6 ui

习题11 微变等效电路

12. 在图3-38所示的放大电路中,已知VDD=-30V,管子参数IDSS=-7mA,UGS(off)=8V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。

(1)求静态工作点IDQ、UGSQ、UDSQ的值。

(2)为了保证管子工作在恒流区,求R s2可能取的最大值。 解:

+C1TRg1M-VDDRd3kΩC2+Rs11k2kuoC3_IDQ?IDSS(1-UGSQUGS(OFF))2ui_Rs2 图3-38 习题12电路图 UGSQ?-IDQRS1以上两式联立求解得:IDQ?-2.9mAUGSQ?2.9VUDSQ??VDD?IDQ(RD?RS1?RS2)??12.4V保证管子工作在恒流区,要求:UDSQ?UGSQ?UGSOFF?5.1V即要求:RS2?4.5K?

13. 电路如图3-39所示,已知场效应管转移特性曲线上的工作点参数为(0V,-0.4mA)。

(1)求满足电路要求所对应的电阻Rs的值; (2)计算gm=0.2mA/V时放大电路Au、Ri和Ro 的值 (3)此电路将管子换成JFET管可以工作吗?要换成增强型管需改哪些参数?

解:(1)为P沟道耗尽型MOS管,已知:UGSQ=0,IDQ =

+

RG1200kRd20k-VDD(-20V)C2+C1RG35MRG251kRL20kui_uo_RsCs 图3-39 习题13电路图 11

-0.4mA

?UGSQ?RG2VCC-IDQRS?0RG1?RG2IDQ??0.4mA?RS?10k?(2)Au??gm(Rd//RL)??2Ri?RG3?RG1//RG2?5M?Ro?Rd?20k?(3)换成P沟道结型场效应管可以工作;换成P沟道增强型管需要改变RS值或RG1及RG2的分压比例,使UGSQ>0。

14. 电路如图3-40所示,已知场效应管的中低频跨导为gm,写出当开关S打开和闭合时放大电路的Au、Ri和Ro的表达式。 解:

R1C1T+R3Rs1S

VDDRdC2+开关闭合:Au??gm(Rd//RL)Ri?RG3?RG1//RG2Ro?Rd 开关打开:?gm(Rd//RL)Au?1?gmRs1ui_R2Rs2RLuo_ Cs 图3-40 习题14电路图 Ri?RG3?RG1//RG2Ro?Rd

15.源极输出器电路如图3-41所示,已知场效应管工作点的中低频跨导gm=0.9ms,其他参数如图3-41所示。求电压增益Au、输入阻抗Ri和输出阻抗Ro。

解:

+Rg1300kVDD12VC1TRg32MC2+Au?gmRs?0.921?gmRs1?1k?gmui_Rg2100kRs12kuo_ Ri?RG3?RG1//RG2?2M? Ro?Rs// 图3-41 习题15电路图 12