发布时间 : 星期一 文章模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案更新完毕开始阅读bc5d1ed5c381e53a580216fc700abb68a982ad84
1半导体二极管
自我检测题
一．选择和填空
1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。
2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。
（A．大于，B．小于，C．等于）
3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。
（A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度）
4. 当PN结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。
（A．大于，B．小于，C．等于，D．变宽，E．变窄，F不变 ）
5．二极管实际就是一个PN结，PN结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。
6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。
（A．～，B．～，C．小于1μA，D．大于1μA）
7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T1
时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 伏，反向击穿电压为 160 伏，反向电流为 10 安培。温度T1 小于 25℃。（大于、小于、等于）
-6
imA3020101501005000.5-0.001-0.002-0.0031v/V25oCT1
图选择题7
8．PN结的特性方程是i?IS(evVT?1)。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳压
管工作在特性曲线的 反向击穿区 。
二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）
1．N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。 （ √ ） 3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （ × ） 4．PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。
（ × ）
7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。
习题
图题各电路中，vi?5Sinωt(V)，忽略D的导通压降和死区电压，画出各电路相应的输出电压波形。
voDviRLvoo??t( a )DvoviRLvoo( b )??t10VDvoviRLvoo( c )??t10V
图题
解：
（a）图中，vi>0时，二极管截止，vo=0；vi<0时，二极管导通，vo= vi。
vOV?0 52???t
（b）图中，二极管导通，vo= vi +10。
vOV151050?2???t
（c）图中，二极管截止，vo=0。
vOVvO=00??t
求图题所示电路中流过二极管的电流ID和A点对地电压VA。设二极管的正向导通电压为。
+10VR1AR2 10k?20k?IDD-6V( a )R1AR2 10k?+10V2k?IDDR33k?-6V( b )
图题
解：（a）VA??6?0.7??5.3V
ID?10?VA0?VA??1.3mA R1R2 （b）
10?VAVA?(?6)VA?0.7 ??R1R2R3 得VA?4.96V
ID?VA?0.7?1.42mA R3
电路如图题所示，已知D1为锗二极管，其死区电压Vth＝，正向导通压降为；D2为硅二极管，其死区电压为Vth＝，正向导通压降为。求流过D1、D2的电流I1和I2。
10k?100?15VD1D2I2100?I1
图题
解：由于D1的死区电压小于D2的死区电压，应该D1先导通。设D1通、D2截止，此时
I1?D2两端电压＝I1×100＋＝
15?0.3A?1.46mA
10?103?100小于D2的开启电压，所以D2截止，因此
I2＝0