发布时间 : 星期二 文章电工学教案-半导体二极管和三极管 - 图文更新完毕开始阅读c6190e59312b3169a451a4d0
15.5.3 特性曲线
（3）饱和区IC/mA4
100饱和区在饱和区，IB的变化对IC的影响较小，两者不成比例803
60当UCE〈UBE时，集电结处于正向偏置，晶体管工作处于饱2
和状态401
20μAIB=03
6
9
0
UCE/V12
15.5.4 主要参数
1 电流放大系数β,βICβ：静态电流（直流）放大系数β?IB?IC：动态电流（交流）放大系数ββ??IB注意：
___（1）β,β两者的含义是不同的，但在特性曲线近于平行
等距并且ICEO较小的情况下，两者数值较为接_近。在估算时，常用β?β近似关系
（2）对于同一型号的晶体管，β值有差别，常用晶体管的β值在20-100之间。
_15.5.4 主要参数
2 集—基极反向截止电流ICBO
ICBO=IC|I=0
E
ICB0_μ A+T+_EC
ICBO受温度的影响大。
在室温下，小功率锗管的ICBO约为几微安到几十微安，小功率硅管在一微安以下。ICBO越小越好。
15.5.4 主要参数
3 集—射极反向截止电流ICEO
IECIC?ICBOICEO?ICBOβ??|IB?0?IEBIB?ICBOICBO穿透电流ICEO与ICBO的关系：
ICEO=IC|I=0
B
_?ICEO?βICBO?ICBO?(1?β)ICBOIC?β(IB?ICBO)?ICBO?βIB?ICEOICBO愈大，β愈高的管子，稳定性愈差。因此，在选管子时，要求ICBO尽可能小些，而β以不超过100为宜。
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