发布时间 : 星期五 文章2014-2015 华南理工模拟电子技术基础随堂练习资料更新完毕开始阅读d37c7e3eae1ffc4ffe4733687e21af45b307fec8
答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 2. 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。 A.发射结反偏，集电结正偏 B.发射结、集电结均反偏 C.发射结、集电结均正偏 D.发射结正偏、集电结反偏 答题： 参考答案：C 问题解析： A. B. C. D. （已提交） 3. 晶体管的电流放大系数是指( )。 A.工作在饱和区时的电流放大系数 B.工作在放大区时的电流放大系数 C.工作在截止区时的电流放大系数 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 4. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。 A. B. C. 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 5. 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在( )。 A.截止状态 B.放大状态 C.饱和状态 答题： 参考答案：B 问题解析： A. B. C. D. （已提交） 6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为( )。 A.P沟道耗尽型MOS管 B.N沟道增强型MOS管 C.P沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 答题： 参考答案：B 问题解析： A. B. C. D. （已提交） 7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压为( )。 A.0V B.＋2V C.－2V D.－1V 约 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 8. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为( )。 A.1mA./V B.0.5mA./V C.-1mA./V D.-0.5mA./V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A 问题解析： 9. 如图示放大电路中接线有错误的元件是( )。 A.RL B.RB C.C1 D.C2