发布时间 : 2024/5/15 22:58:57 星期三 文章微电子器件课程复习题更新完毕开始阅读ef989b49d5bbfd0a795673ed

29、某N沟道MOSFET的VT = 1V,β= 6×10-3AV-2，求当VDS = 4V，VGS分别为2V、4V、6V、8V和10V时漏源电导gds之值。

30、某N沟道MOSFET的沟道长度L?2μm，阈电压VT = 1.5V，电子迁移率为320cm2/V.s，试求当外加栅电压VGS = 5V时的饱和区跨导的截止角频率?gm。

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