发布时间 : 星期五 文章肖特基(SCHOTTKY)系列二极管更新完毕开始阅读f360e7d39b8fcc22bcd126fff705cc1755275f2a
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表1 2DK10100实测平均值与10CTQ140参数值的比较 参数 型号 2DK10100 10CTQ140 VRWM V 140 140 IFM A 10 10 TC ℃ 68．7 121 VFM V 0．80 0．80 IFSM A 95 95 IRM TA=125℃ mA 19 13 TJmax ℃ 150 150
表2 2DK1640 实测平均值与16CTQ060参数值的比较
参数 型号 2DK1640 16CTQ060 VRWM IFM V 40 60 A 16 16 TC ℃ 64．4 120 VFM V 0．60 0．60 IFSM A 242 242 IRM TA=125℃ mA 7．5 7 TJmax ℃ 150 150
2． 技改前后常温反向漏电特性及反向抗烧毁能力的检查 常温下检查了反向漏电特性，并对样品进行了破坏性物理实验，以检 查肖特基势垒的反向抗烧毁能力，测试结果列于表3。
表3 技改前后产品的反向特性及抗烧毁能力的比较
工艺内容 项目 反向漏电流 肖特基势垒结承受反向击穿电流能力 技改后 (目前) 硬击穿特性曲线，常温漏电流极小，为0.2—0.3mA 技改前 结论
典型软击穿曲线，常温漏电流较大，为10mA以上。 200mA击穿电流下，特性曲小于50mA击穿电流线稳定，不出现漏电流变下特征曲线较稳定，大，曲线变软以及蠕变沟不出现蠕变、沟道、道、鼓泡、穿通等失效模式。 穿通等失效模式。 300—400mA击穿电流下，出 现漏电流变大，曲线变软，50—130mA击穿电但当击穿电流下降到200mA流下特征曲线不稳时，击穿特性恢复到原始曲定，出现穿通失效模线。 式，当出现击穿电流下降，击穿特性不可恢复。 势垒结反向抗烧毁能力已势垒结反向抗烧毁达到国外同类产品质量的能力与国外同类产先进水平。 品质量相差较大。 。
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3． 高温反向漏电流的检查
将目前产品2DK1630、技改前的产品2DK13F以及从国外进口封装成的管子SR1630各15支，分别测试了高温反向漏电流，结果为表4、表5。经查阅，与2DK1630对应的国外同类产品为15CTQ030，其高温（125℃）反向漏电流为70mA，对照表4、表5，结论如下： ① 技改后的产品与技改前的产品比较，高温反向漏电流低1—2个
数量级。
② 技改后的芯片与从台湾进口的芯片一起封装后，在100℃下测试
高温反向性能已达到国外同类产品的先进水平。
表4 2DK1630与2DK13F的高温反向漏电流比较（VR=30V） 2DK1630 2DK13F IR1 IR2 IR3 IR4 IR5 IR 样品TJ=25TJ=55℃ TJ=75℃ TJ=100℃ TJ=125℃ 100℃ 号 ℃ mA mA mA mA mA 1 4 8 75 1 3 15 75 1 5 26 78 1 3 10 76 1 5 18 73 1 3 3 76 1 5 6 77 1 5 4 74 1 4 6 93 1 4 11 93 1 3 13 92 1 5 20 89 1 1 2 94 1 3 15 95 1 3 3 86 表5 台湾芯片封装成SR1630高温反向漏电流（VR=30V） 样品SR1630 号 IR1 IR2 IR3 IR4 TJ=25℃ TJ=55℃ TJ=75℃ TJ=100℃ mA mA mA MA 1 1 1 3 43 2 1 1 2 41 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 。 6欢迎下载
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3 1 1 3 43 4 1 1 1 43 5 1 1 5 41 6 1 1 5 38 7 1 1 5 75 8 1 1 5 56 9 1 1 5 115 10 1 1 5 75 11 1 1 6 55 12 1 1 5 63 13 1 1 5 82 14 1 1 5 118 15 1 1 5 87 备注：当温度为125℃时，由于反向漏电流太大，无法测出。 可以看出，我所肖特基二极管产品的常温电参数性能以及高温电性能、 正反向抗烧毁能力等可靠性指标均已达到国际先进水平，可以满足军工产 品的需要。
五．介绍我所生产的两种肖特基二极管：
1．2DK030小电流肖特基二极管 （1）概述：
2DK030是为替代2AK、2AP锗二极管系列产品而开发设计的肖特基二极管。由于锗管温度特性较差，已满足不了重点工程电子系统的高可靠的要求。普通的硅开关整流二极管虽有良好的温度特性，但其正向压降VF比锗管高，功耗大，也不具有高的开关速度。为此，我们开发了2DK030硅肖特基二极管，其VF低（小于锗管的VF）、功耗小、反向恢复快、转化效率高，并且温度特性优于锗二极管，完全可以代替相应规格的锗二极管。 (2）2DK030肖特基二极管的设计指标(合同号: QJ/01RBJ018—97) VF≤0。3V 测试条件 IF=20mA VBR≥30V
IR1≤5μA 测试条件 VR=10V，TA=25℃ IR2≤200μA 测试条件VR=10V，TA=85℃ IFSM=600mA
工作环境温度范围：-55℃ TO +100℃ (3) 2DK030 型肖特基二极管执行的标准
该产品的详细规范QJ/01RBJ018—97是根据与航天总公司某院签定的9704Q004经济技术合同要求，按照国标GJB33〈〈半导体分立器件总规范〉〉、GJB128〈〈半导体分立器件试验方法〉〉的具体规定制订的、并经电子部标
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准化所确定后，作为新品的企业军用标准。质量一致型检验项目的所有A组、B组和C组的要求、试验方法与抽样方案均与GJB33和GJB128的要求相一致，保证了产品具有良好的开关特性、温度特性和正向电压低的特点，可靠性达到国军标要求的质量保证等级。 (4) 2DK030肖特基二极管的主要研制特点 A．设计特点
该管在设计中采用了势垒高度фB较低的金属，并尽量减小理想因子П值。因为φB决定了伏安特性曲线的上升阈值，而П值决定了电流随电压上升的快慢。适当调整工艺，使之形成富硅硅化物的肖特基的势垒接触，以达到正向电压阈值低、曲线起始上升快的目标。 B．结构特点
该管设计和采用的零部件及组装均符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的标准要求，为减小封装串联电阻，降低正向压降，尽量加大了引线与芯片的接触面积。采用了宽“S”形弯曲触须压力接触的镀金上引线，增强了抗浪涌电流的冲击能力。用美军标准规定的DO-7玻壳封装，轴向引线，壳体透明，具有体积小、重量轻、可靠性高的特点。
C．工艺与设备特点
形成富硅硅化物势垒接触的工艺技术是影响该管电参数性能及可靠性的关键所在。通过大量的优化实验，对溅射和退火等关键工艺的参数和条件进行了优 化，选出了最佳的工艺方案，以达到最佳势垒金属厚度和形成最佳表面，使管芯获得最好的电参数性能及较高的成品率。 封装前对芯片进行100%的镜检，剔除有缺陷的芯片，采用从美国进口的BTU链式烧结炉和LORLIN计算机测试系统与其他符合美军标DO-7的封装生产线，使用低温烧结，高纯氮保护和不锈钢夹具等，保证了环境的洁净度和工艺的稳定性，大大提高了产品的封装成品率。
D．管理特点
该产品的设计制造按ISO9002标准和“七专”产品管理办法进行生 产技术质量管理。
(5) 2DK030与1N5818的比较,如表6所示：
表6 2DK030 与1N5818的参数比较表 参数 VBR （V） 型号 2DK030 ≥30 1N5818 ≥30 IR (mA) 1 1 VF VF2 VF3 IF=0.02A IF2=0.1A IF3=1.0A （V） （V） （V） ≤0.3 ≤0.33 ≤0.56 - ≤0.33 ≤0.55 封装 形式 DO-7 DO-41 。 8欢迎下载