发布时间 : 星期三 文章模拟电路第二章 放大电路基础更新完毕开始阅读fcc1f20590c69ec3d5bb7579
当△T=40C时，由上题知
β′=140，VE(on)′=0.6V，ICBO′=16×10－15A，按照上述方法可重新求得： IBQ′≈15.49μA，ICQ′≈2.18mA，VCEQ′≈0.99V＞0.3V
由于分压偏置电路具有稳定Q点的作用。所以当温度升高40oC时，三极管仍然工作在放大区。
【2-5】 试分析下列现象：
（1）测试两个单级放大器在负载开路下的电压增益分别为Avt1、Avt2，现将两级级联，测得总电压增益Av明显低于Avt1Avt2。
（2）两个单级放大器在负载短路时的电流增益分别为Ain1、Ain2，现将两级级联，测得总电流增益Ai≈Ain1Ain2。
（3）测得放大器的源电压增益Avs远小于电压增益Av，现调节放大器的输入电阻，发现Avs≈Av。
【解】本题用来熟悉：放大器的输入、输出电阻对增益的影响。 （1）两级级联后，总的电压增益Av=Av1Av2。而
RL RL1 Ri2
Av1= Avt1 = Avt1 Av2= Avt2
Ro2 +RL Ro1 +RL1 Ro1 +Ri2 显然，当Ri2＜＜Ro1或Ro2＞＞RL或二者兼有时，Au＜＜Aut1 Aut2。从中不难得出：若放大器的输入电阻越小，对前级电路电压增益的影响就越大；放大器的输出电阻越大，负载对本级电路电压增益的影响就越大。 （2）两级级联后，总的电流增益Ai=Ai1Ai2。而
Ro1 Ro1
Ai = A = Ain1 1in1Ro1 +RL1 Ro1 +Ri2 Ro2
Ai2= Ain2
Ro2 +RL o
显然，当Ri2＜＜Ro1或Ro2＞＞RL或二者兼有时，Ai≈Ain1Ain2。从中不难得出：若放大器的输入电阻越小，对前级电路电流增益的影响就越小；放大器的输出电阻越大，负载对本级电路电流增益的影响就越小。 （3）放大器的源电压增益 Ri1
Avs= Av
Rs+Ri1
显然，当Ri1＜＜Rs时，Av＜＜Avs；而当Ri1＞＞Rs时，Avs≈Av。即放大器的输
入电阻越大，信号源的内阻越小，则源电压增益Avs越接近外观增益Av。
【2-6】 题图2.5所示为两级直接耦合放大器中，已知晶体三极管的│VBE(on)│=0.7V，β=100，IBQ可忽略，要求ICQ1 = 1mA，ICQ2=1.5mA,VCEQ1=4V，│VCEQ2│=5V。试设计电路各元件值。
【解】本题用来熟悉：放大电路偏置电路的设计方法。
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取VEQ1=0.2VCC=2.4V，则
RE1≈VEQ1/ICQ1=2.4 kΩ 取I1=10IBQ1=10ICQ1/β=0.1mA，则 RB1+RB2=VCC/I1=120 kΩ RB2 VBQ1 VCC =VBE(on) 1+VEQ1=3.1V ≈ RB1 +RB2 RB1 =89 kΩ RB2 =31 kΩ VCC－VCEQ1－VEQ1 RC1= =5.6kΩ
ICQ1 VCC－│VBE(on)2 │－VCEQ1－VEQ1
RE2≈ =3.27kΩ
ICQ2
RB1 RC1 T1 RB2 RE1 RE2 T2 RC2 VCC (+12V) 题图 2.5 VEQ2－│VCEQ2│ │VBE(on)2│+ VCEQ1+VEQ1－│VCEQ2│
RC2= = =1.4kΩ
ICQ2 ICQ2 【2-7】在题图2.6所示电路中，已知各晶体三极管的特性相同，β=100，VBE(on) = 0.7V要求IEQ1=0.5mA，IEQ2=1mA，VCEQ1=2.5V，VCEQ2=4V。设VCC=12V，VCQ2=6V，I1=10IBQ1， 试计算各电阻值。 【解】本题用来熟悉：
多级放大电路Q点的分析方法。 由已知条件可求得：
VEQ2=VCQ2－VCEQ2= 4－2=2V VCQ1=VEQ2+VBE(on) 2= 2+0.7=2.7V VEQ1=VCQ1－VCEQ1=2.7－2.5=0.2V
RB2 RB1 RC1 I1 VCC RC2 T2 RE2 T1 RE1 VBQ1=VEQ1+VBE(on) 1= 0.2+0.7=0.9V 由于IBQ1≈IEQ1/β= 5μA，
所以I1=10IBQ1=50μA，因此可求得各电阻值如下：
题图 2.6 VEQ2 VCC－VCQ2 VCC－VCQ2
R= ≈1.9kΩ R= ≈ = 6kΩ E2 C2I1+ IEQ2 ICQ2 IEQ2 VEQ1 VCC－VCQ1 VCC－VCQ1
RC1= ≈ =18.6kΩ RE1= = 400Ω
IEQ1 ICQ1 IEQ1 VBQ1 VEQ2－VBQ1
R= ≈16.4kΩ B2RB1= =22kΩ I+ 1 IBQ1 I1
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【2-8】在题图2.7（a）所示为三级直接耦合放大器中，已知各管的│VBE(on)│=0.7V，β=100，IBQ可忽略，要求ICQ1=1mA，ICQ2=1.4mA, ICQ3=1.6mA ,│VCEQ│=2V。试完成下列各题：
（1）计算各电阻阻值和各管的VCQ值；
（2）将T2改为NPN管，如图2.7（b）所示，调整RC2、RCE，保证ICQ2不变，试指出电路能否正常工作？
RB1 VCC (6V) RE2 T2 RC2 RC3 T3 RE3 VCC (6V) RC2 T2 RE2 （b） RC1 T1 6.2kΩ Ω 4.7k
RB2 RE1 （a） 题图 2.7 【解】本题用来熟悉：直接耦合放大电路Q点的分析方法及电平位移的基本概念。 （1）第一级电路，因为
RB2
VBQ1≈ VCC ≈2.59V RB1 +RB2 所以
VEQ1
RE1≈ ≈1.89kΩ
ICQ1 第二级电路，因为
VBQ2=VCQ1= VCEQ1+VEQ1 =3.89V，VEQ2=VBQ2+│VBE(on) 2│=4.59V 所以
VCC－VEQ2
RE2≈ =1kΩ
ICQ2 第三级电路，因为
VBQ3=VCQ2=VEQ2－│VCEQ2│ =2.59V，VEQ3=VBQ3－VBE(on)3=1.89V 所以
VEQ3 VCC－VCEQ3－VEQ3
RE3≈ ≈1.18kΩ RC3= ≈1.32kΩ
ICQ3 ICQ3 VEQ2－│VCEQ2│
RC2= =1.85kΩ
ICQ2 VCC－VCEQ1－VEQ1
RC1= =2.11kΩ
ICQ1 VEQ1=VBQ1－VBE(on)1=1.89V （2）将T2改为NPN管后，T2管的集电极电位将被抬高，
VCQ2=VCEQ2+VEQ2= VCEQ2+（VCQ1－VBE(on)2）=5.19V
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从而导致T3管的集电极电流增大。 VBQ3－│VBE(on) 3│ VCQ2－│VBE(on) 3│ CQ3≈ = ≈3.8 mA IRC3 RC3 结果使VCEQ3=VCC－ICQ3（RC3 +RE3）=－3.5V＜0.3V
显然，没有电平位移电路，将导致后级电路进入饱和区工作，无法正常放大。
【2-9】在题图2.8所示的多级直接耦合放大器中，第二级为电平位移电路。已知各管的β=100，VBE(on) =0.7V，IBQ可忽略不计，I0=2mA，各管的VCEQ=3V, VCQ1=2.3V。试完成下列各题：
（1）为使VOQ=0V。试确定RE2值； （2）若RE2=0，电路能否正常工作？
RC2 RC1
VBQ1 vI T1 RE1 RE2 I0 T2 T3 RE3 RE3 VEE (－6V) 题图 2.8 VCC (+6V) RC3 RC4 vO T4
【解】本题用来熟悉：直接耦合放大电路Q点的分析方法及电平位移问题。 （1）由图可知：
VOQ=VCQ1－VBE(on)2－I0RE2－VBE(on)3+VCEQ3－VBE(on)4+VCEQ4 若使VOQ=0，可得
VCQ1－3VBE(on)+2VCEQ3
E2= =3.1kΩ RI0 （2）若RE2=0，由上述方法可算得VOQ=6.2V＞VCC，电路不能正常工作。
【2-10】题图2.9所示为某集成电路的部分内部原理图,已知各管的β很高,│VBE(on)│=0.7V，输入端VBQ1=0，输出端VOQ=0。ICQ4=550μA， VCQ1=14.3V。试求ICQ3及各管VCEQ值。
【解】本题用来熟悉：多级放大电路Q点的分析方法。
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